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J-GLOBAL ID：201202252502900176   整理番号：12A0363027

(Ga,Mn)Asナノワイヤの形成とその磁気的性質の研究

Formation of (Ga,Mn)As nanowires and study of their magnetic properties

著者 (16件)： BOURAVLEUV A. D. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS) ,  BOURAVLEUV A. D. (Russian Acad. of Sciences, St. Petersburg Academic Univ., Nanotechnology Res. and Education Center, 194021, St. ...) ,  BOURAVLEUV A. D. (Aalto Univ., FI-00076, Aalto, FIN) ,  CIRLIN G. E. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS) ,  CIRLIN G. E. (Russian Acad. of Sciences, St. Petersburg Academic Univ., Nanotechnology Res. and Education Center, 194021, St. ...) ,  CIRLIN G. E. (Russian Acad. of Sciences, Inst. for Analytical Instrumentation, 190103, St. Petersburg, RUS) ,  ROMANOV V. V. (St. Petersburg State Polytechnical Univ., 195251, St. Petersburg, RUS) ,  BAGRAEV N. T. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS) ,  BAGRAEV N. T. (St. Petersburg State Polytechnical Univ., 195251, St. Petersburg, RUS) ,  BRILINSKAYA E. S. (St. Petersburg State Polytechnical Univ., 195251, St. Petersburg, RUS) ,  LEBEDEVA N. A. (Aalto Univ., FI-00076, Aalto, FIN) ,  NOVIKOV S. V. (Aalto Univ., FI-00076, Aalto, FIN) ,  LIPSANEN H. (Aalto Univ., FI-00076, Aalto, FIN) ,  DUBROVSKII V. G. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS) ,  DUBROVSKII V. G. (Russian Acad. of Sciences, St. Petersburg Academic Univ., Nanotechnology Res. and Education Center, 194021, St. ...) ,  DUBROVSKII V. G. (St. Petersburg State Polytechnical Univ., 195251, St. Petersburg, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 46  号： 2  ページ： 179-183  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子ビームエピタクシー法を用いてGaAs(111)B表面上に(Ga,Mn)Asナノワイヤ結晶のアレイを合成した。成長温度範囲は480~680°Cであった。(Ga,Mn)Asナノワイヤ形成はVLS機構の視点で説明できることを確認した。(Ga,Mn)Asナノワイヤの成長は,ガリウム関して安定化した条件下で進む必要があることを示した。660°Cで作った試料の静的磁化率の温度依存性は常磁性挙動を示すことを見出した。Copyright 2012 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  固溶体 ,  *ナノワイヤ ,  アレイ ,  *VLS成長 ,  *磁化率 ,  温度依存性 ,  *常磁性 ,  化合物半導体 ,  MBE成長 ,  マンガン化合物
準シソーラス用語： *ヒ化マンガン

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ga ,  Mn ,  ナノワイヤ ,  磁気的性質 ,  研究