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J-GLOBAL ID：201202252761227919   整理番号：12A0191818

表面不動態化とa-Si/c-Siヘテロ接合太陽電池に対するテクスチャ形状の効果

Effect of Texture Morphology on the Surface Passivation and a-Si/c-Si Heterojunction Solar Cells

著者 (10件)： JEONG DaeYoung (Korea Inst. Energy Res.) ,  JEONG DaeYoung (Chungnam National Univ.) ,  KIM ChanSeok (Korea Inst. Energy Res.) ,  SONG JunYong (Korea Inst. Energy Res.) ,  LEE Jeong Chul (Korea Inst. Energy Res.) ,  CHO Jun Sik (Korea Inst. Energy Res.) ,  PARK Sang Hyun (Korea Inst. Energy Res.) ,  WANG Jin-Suk (Chungnam National Univ.) ,  YOON Kyung Hoon (Korea Inst. Energy Res.) ,  SONG Jinsoo (Korea Inst. Energy Res.)
資料名： Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference  (Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference)
巻： 34th Vol.2  ページ： 1444-1447  発行年： 2009年 
JST資料番号： E0756A  ISSN： 0160-8371  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： PECVDにより,結晶(c)Si基板上に様々な高さの角錐アモルファス(a)Si層を堆積させた。長時間エッチングによる高Si角錐は,入射光に対する光反射率を下げた。この表面反射特性はヘテロ接合太陽電池(HJSC)の短絡電流に密接に関係し,少数キャリア寿命は開路電圧とフィルファクタを決定した。結晶Si表面のテクスチャ化はHJSCの光及び電気特性に影響した。

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  *太陽電池 ,  アモルファスシリコン ,  角錐 ,  少数キャリア ,  キャリア寿命 ,  短絡電流 ,  表面改質 ,  表面性状 ,  光学的性質 ,  電気特性 ,  プラズマCVD
準シソーラス用語： *シリコン太陽電池 ,  テクスチャ ,  フィルファクタ ,  開路電圧 ,  光反射率 ,  単結晶シリコン ,  表面不動態化

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 表面不動態化 ,  Si ,  ヘテロ接合太陽電池 ,  テクスチャ