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J-GLOBAL ID：201202252828120626   整理番号：12A0165329

透明電極への応用を目指したグラフェンの無触媒化学蒸着による高温基板上への堆積

Noncatalytic chemical vapor deposition of graphene on high-temperature substrates for transparent electrodes

著者 (5件)： SUN Jie (Dep. of Microtechnology and Nanoscience, Quantum Device Physics Lab., Chalmers Univ. of Technol., S-41296 Gothenburg ...) ,  COLE Matthew T. (Dep. of Engineering, Electrical Engineering Div., Univ. of Cambridge, 9 JJ Thomson Avenue, CB3 0FA Cambridge, GBR) ,  LINDVALL Niclas (Dep. of Microtechnology and Nanoscience, Quantum Device Physics Lab., Chalmers Univ. of Technol., S-41296 Gothenburg ...) ,  TEO Kenneth B. K. (AIXTRON Nanoinstruments Ltd., Swavesey, CB24 4FQ Cambridge, GBR) ,  YURGENS August (Dep. of Microtechnology and Nanoscience, Quantum Device Physics Lab., Chalmers Univ. of Technol., S-41296 Gothenburg ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 2  ページ： 022102  発行年： 2012年01月09日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 無触媒化学蒸着に関する機構を提案する。炭化水素熱分解法によって大面積のナノ結晶グラフェンを成長させるには,高濃度の前駆体,長い堆積時間,高温および平坦な基板が必要である。グラフェンは剥離することができ,均一で厚さの制御が可能である。また,1000°Cに耐え得る基板であれば,実質上どのような金属的基板にも堆積できる。典型的な例として,石英およびサファイア基板上に直接成長させたグラフェンは,剥離法,あるいは金属触媒法で堆積したグラフェンに似た透過率と伝導度を示すことが,透過分光法および輸送測定によって明らかにされた。Raman分光法によって,sp²-C構造を確認した。モデルと得られた結果から,本稿で提案した方法は透明電極を作製するための有望で,堆積後に移動の必要のない技術であることが確認された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭素材 ,  透明電極 ,  *化学蒸着 ,  炭化水素 ,  熱分解 ,  剥離 ,  膜厚 ,  均一性 ,  透過率 ,  スペクトル ,  電気伝導率 ,  Ramanスペクトル ,  化学結合 ,  半導体薄膜 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 光透過率 ,  透過スペクトル

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 透明電極 ,  応用 ,  グラフェン ,  触媒化学蒸着 ,  堆積