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J-GLOBAL ID：201202252871541023   整理番号：12A1310703

アルゴンプラズマエッチングがシリコンへの金属微粒子無電解置換析出に及ぼす影響

Influence of Argon-Plasma Etching of Single-Crystalline Silicon on Electroless Displacement Deposition of Metal Particles

著者 (8件)： 藤原良太 (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  萩原泰三 (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  萩原泰三 (神港精機) ,  松田貴士 (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  江籠卓馬 (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  福室直樹 (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  八重真治 (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  松田均 (兵庫県大 大学院工学研究科)
資料名： 表面技術  (Journal of the Surface Finishing Society of Japan)
巻： 63  号： 9  ページ： 581-584  発行年： 2012年09月01日 
JST資料番号： G0441B  ISSN： 0915-1869  CODEN： HYGIEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： フッ化水素(HF)を含む金属塩水溶液を用いたシリコン基板表面での置換反応による金属微粒子析出が有用な技術として利用されつつある。著者らは,この置換反応はシリコン表面の状態に影響を受けることを見出しており,本研究においては,この観点からシリコン表面をArプラズマエッチングした際の影響を調べた。n-Si単結晶基板を試料として用い,高周波グロー放電発光分析装置を用いてArエッチング(RF出力密度0~1100W/cm²)を行ない,その後,ヘキサクロロ白金酸を含むめっき液に浸漬することで,Pt微粒子を析出させた。処理サンプルのミクロ組織観察およびPt粒子数密度測定を実施した。これらの実験から,Arエッチングを行なうことでPt微粒子析出数密度が増加することを明らかにした。この知見に基づき,本手法によってエッチングのSi表面に及ぼす影響を評価できることを示唆した。

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  プラズマエッチング ,  *白金 ,  *微粒子 ,  *析出 ,  フッ化水素 ,  置換反応 ,  *シリコンウエハ
準シソーラス用語： *シリコン基板

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (26件)：

• 1)G. Oskam, J. G. Long, A. Natarajan, P. C. Searson ; J. Phys. D: Appl. Phys., 31, 1927(1998).
• 2)L. A. Nagahara, T. Ohmori, K. Hashimoto, A. Fujishima ; J. Electroanal. Chem., 333, 363(1992).
• 3)P. Gorostiza, J. Servat, J. R. Morante, F. Sanz ; Thin Solid Films, 275, 12(1996).
• 4)P. Gorostiza, R. Diaz, J. Servat, F. Sanz ; J. Electrochem. Soc., 144, 909(1997).
• 5)S. Yae, N. Nasu, K. Matsumoto, T. Hagihara, N. Fukumuro, H. Matsuda ; Electrochim. Acta, 53, 35(2007).

タイトルに関連する用語 (7件)： アルゴン ,  プラズマエッチング ,  シリコン ,  金属微粒子 ,  電解 ,  置換 ,  析出