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J-GLOBAL ID：201202252871902050   整理番号：12A1006133

4H-SiC MOSFETにおける反転層キャリア濃度,及びホール移動度の温度依存性

Temperature dependence of inversion layer carrier concentration and Hall mobility in 4H-SiC MOSFETs

著者 (5件)： DHAR Sarit (Cree, Inc., NC) ,  AHYI Ayayi C. (Auburn Univ., AL) ,  WILLIAMS John R. (Auburn Univ., AL) ,  RYU Sei-Hyung (Cree, Inc., NC) ,  AGARWAL Anant K. (Cree, Inc., NC)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 717/720  号： Pt.2  ページ： 713-716  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： 4H-SiC ,  MOSFET ,  反転層 ,  キャリア濃度 ,  ホール移動度 ,  温度依存性