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J-GLOBAL ID:201202252994847712   整理番号:12A0759325

反応性蒸着法に基づく新しい処理法を用いて成長したZnO膜

ZnO films grown using a novel procedure based on the reactive evaporation method
著者 (3件):
資料名:
巻: 102  ページ: 137-141  発行年: 2012年07月 
JST資料番号: D0513C  ISSN: 0927-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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反応性蒸着法に基づく新しい処理法を開発して,高透明i-ZnOとn+-ZnO薄膜のその場堆積を行った。ZnO膜のオプト電気特性を最適化して太陽電池の透明導電性酸化物(TCO)層として利用した。作成パラメータの最適化は,透過率と抵抗率を用いて定義した有効指標を使って行った。可視域で80%以上の透過率をもち,抵抗率8×10-4Ωcm付近の抵抗率をもつn+-ZnO膜と105Ωcm付近の抵抗率をもつi-ZnO膜をこの方法で実現した。i-ZnOとn+-ZnO薄膜の光起電力素子への応用性を実証するために,これらをCuInS2(CIS)をベースとする太陽電池の拡散障壁およびTCO層として利用した。反応性蒸着で堆積したZnO薄膜を用いたCISベース太陽電池で,9.1%の変換効率を実現した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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太陽電池 
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