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J-GLOBAL ID：201202253054005744   整理番号：12A0630216

YBaCuOナノワイヤにおける位相スリッププロセスの高臨界電流密度とスケーリング

High critical current density and scaling of phase-slip processes in YBaCuO nanowires

著者 (9件)： PAPARI G (Istituto Nanoscienze, CNR, Pisa, ITA) ,  CARILLO F (Istituto Nanoscienze, CNR, Pisa, ITA) ,  STORNAIUOLO D (Complesso Universitario di Monte Sant’Angelo via Cinthia, Napoli, ITA) ,  STORNAIUOLO D (Seconda Universita di Napoli, Aversa (CE)) ,  LONGOBARDI L (Complesso Universitario di Monte Sant’Angelo via Cinthia, Napoli, ITA) ,  LONGOBARDI L (Seconda Universita di Napoli, Aversa (CE)) ,  BELTRAM F (Istituto Nanoscienze, CNR, Pisa, ITA) ,  TAFURI F (Complesso Universitario di Monte Sant’Angelo via Cinthia, Napoli, ITA) ,  TAFURI F (Seconda Universita di Napoli, Aversa (CE))
資料名： Superconductor Science and Technology  (Superconductor Science and Technology)
巻： 25  号： 3  ページ： 035011,1-5  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： T0607A  ISSN： 0953-2048  CODEN： SUSTEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 液体窒素温度で動作する超伝導ナノ構造は超伝導エレクトロニクスへの応用にとって比重に魅力的である。特に,高臨界温度超伝導体(HTC)ナノワイヤは高温動作の利点を持つだけでなく,原理的に極めて短いコヒーレンス長のためより小型に縮小できる。ここでは,単一YBCOナノワイヤを,Au/Tiキャップ層を通して製作し,77Kでも外部印加磁場Hに対して非常にロバストな非常に高い臨界電流密度値に達した。これらの単一ナノワイヤのI-V曲線の詳細構造はブリッジサイズを選び,磁場強度を設定することによって調整できる。位相スリッププロセスと関連し,I-V曲線のステップとして目に見える閾値機構は光検出実験用のセンサとしてのHTSナノワイヤへの道を開く。

シソーラス用語： *イットリウムバリウム銅酸化物 ,  *ナノワイヤ ,  位相 ,  滑り ,  *臨界電流密度 ,  スケーリング【計数】 ,  低温 ,  超伝導 ,  ナノ構造 ,  電子技術 ,  臨界温度 ,  高温 ,  コヒーレンス長 ,  小型 ,  金 ,  チタン ,  保護膜 ,  外部磁場 ,  電流電圧特性 ,  閾値 ,  光検出 ,  センサ
準シソーラス用語： エレクトロニクス ,  キャップ層 ,  液体窒素温度 ,  磁場強度

分類 (1件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (6件)： ナノワイヤ ,  位相 ,  スリップ ,  プロセス ,  臨界電流密度 ,  スケーリング