文献

J-GLOBAL ID：201202253089174255   整理番号：12A0670528

誘電力顕微鏡を用いたナノ材料の電子的性質の無接触特性化

Contactless Characterization of Electronic Properties of Nanomaterials Using Dielectric Force Microscopy

著者 (10件)： LU Wei (Suzhou Inst. of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Acad. of Sci., Jiangsu, CHN) ,  ZHANG Jie (Suzhou Inst. of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Acad. of Sci., Jiangsu, CHN) ,  ZHANG Jie (Univ. Sci. and Technol. of China, Hefei Anhui, CHN) ,  LI Yize Stephanie (Suzhou Inst. of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Acad. of Sci., Jiangsu, CHN) ,  CHEN Qi (Suzhou Inst. of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Acad. of Sci., Jiangsu, CHN) ,  CHEN Qi (Univ. Sci. and Technol. of China, Hefei Anhui, CHN) ,  WANG Xiaoping (Univ. Sci. and Technol. of China, Hefei Anhui, CHN) ,  HASSANIEN Abdou (AIST, Ibaraki, JPN) ,  HASSANIEN Abdou (National Inst. of Chemistry, Ljubljana, SVN) ,  CHEN Liwei (Suzhou Inst. of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Acad. of Sci., Jiangsu, CHN)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 116  号： 12  ページ： 7158-7163  発行年： 2012年03月29日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 誘電力顕微鏡(DFM)を用いて電界効果トランジスター構築のためのナノ材料の電子的性質を検討した。p⁺⁺Si上にシリカ被覆した基板上のナノ材料を誘電顕微鏡のカンチレバーで走査し,形態と誘電力を調べた。単壁カーボンナノチューブ(SWNT)とZnOナノワイヤー(NW)中にDFMチップの電圧に依存した半導体性キャリアの分布を示し,SWNTがp型半導体だったのに対してZnO NWはn型だった。DFMは優れた空間マッピング能力を有し,SWNTのチューブ内の金属-半導体接合部を示した。ゲートバイアス電圧を変えると空孔密度が変化したが,誘電応答は変わらなかった。ゲート変調比によってSWNTの金属性を調節可能で,この比が0.9から1.2の範囲ではSWNTは金属性だったが,0.3から0.8の範囲では半導体性だった。今回の結果からDFMイメージングへのゲートバイアス電圧の取り込みを用いて誘電応答イメージイングを通して電導度を間接的に検出できることを示唆した。

シソーラス用語： *力顕微鏡 ,  *ナノ構造 ,  *材料 ,  FET【トランジスタ】 ,  単層カーボンナノチューブ ,  ナノワイヤ ,  酸化亜鉛 ,  半導体接合 ,  *電子構造 ,  量子閉込め ,  超小形回路 ,  *ナノ材料
準シソーラス用語： センサチップ

分類 (2件)： 顕微鏡法  (BK01040E) ,  分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： 力顕微鏡 ,  ナノ材料 ,  電子 ,  性質 ,  特性化