MILEKHIN A. G. について
Inst. of Semiconductor Physics, Lavrentjev av. 13, 630090, Novosibirsk, RUS について
MILEKHIN A. G. について
Novosibirsk State Univ., Pirogov av. 2, 630090, Novosibirsk, RUS について
YERYUKOV N. A. について
Inst. of Semiconductor Physics, Lavrentjev av. 13, 630090, Novosibirsk, RUS について
SVESHNIKOVA L. L. について
Inst. of Semiconductor Physics, Lavrentjev av. 13, 630090, Novosibirsk, RUS について
DUDA T. A. について
Inst. of Semiconductor Physics, Lavrentjev av. 13, 630090, Novosibirsk, RUS について
HIMCINSCHI C. について
TU Bergakademie Freiberg, Inst. fuer Theoretische Physik, Leipziger Str. 23, 09596, Freiberg, DEU について
ZENKEVICH E. I. について
Belarussian National Technical Univ., 220072, Minsk, Belarus について
ZAHN D. R. T. について
Chemnitz Univ. of Technol., Semiconductor Physics, 09107, Chemnitz, DEU について
Applied Physics. A. Materials Science & Processing について
硫化亜鉛 について
酸化亜鉛 について
化合物半導体 について
ナノ粒子 について
量子ドット について
Langmuir-Blodgett膜 について
光学モード について
フォノン について
倍音 について
共鳴Raman散乱 について
電子-フォノン相互作用 について
半導体薄膜 について
コアシェル構造 について
多光子過程 について
半導体薄膜 について
コロイド化学一般 について
半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル について
ZnS について
ZnO について
コア について
シェル について
量子ドット について
共鳴Raman散乱 について