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J-GLOBAL ID：201202253167743091   整理番号：12A0653153

ZnS,ZnO,およびZnS/ZnOコア/シェル量子ドットの共鳴Raman散乱

Resonant Raman scattering of ZnS, ZnO, and ZnS/ZnO core/shell quantum dots

著者 (8件)： MILEKHIN A. G. (Inst. of Semiconductor Physics, Lavrentjev av. 13, 630090, Novosibirsk, RUS) ,  MILEKHIN A. G. (Novosibirsk State Univ., Pirogov av. 2, 630090, Novosibirsk, RUS) ,  YERYUKOV N. A. (Inst. of Semiconductor Physics, Lavrentjev av. 13, 630090, Novosibirsk, RUS) ,  SVESHNIKOVA L. L. (Inst. of Semiconductor Physics, Lavrentjev av. 13, 630090, Novosibirsk, RUS) ,  DUDA T. A. (Inst. of Semiconductor Physics, Lavrentjev av. 13, 630090, Novosibirsk, RUS) ,  HIMCINSCHI C. (TU Bergakademie Freiberg, Inst. fuer Theoretische Physik, Leipziger Str. 23, 09596, Freiberg, DEU) ,  ZENKEVICH E. I. (Belarussian National Technical Univ., 220072, Minsk, Belarus) ,  ZAHN D. R. T. (Chemnitz Univ. of Technol., Semiconductor Physics, 09107, Chemnitz, DEU)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 107  号： 2  ページ： 275-278  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光学フォノンモードとそれらの倍音による共鳴Raman散乱をLangmuir-Blodgett法で成長させたZnSおよびZnO量子ドットにおいて研究した。ZnS/ZnOコア/シェル量子ドットのその場形成をレーザ照明下のRaman分光によって監視した。Copyright 2012 Springer-Verlag Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *硫化亜鉛 ,  *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  ナノ粒子 ,  *量子ドット ,  *Langmuir-Blodgett膜 ,  *光学モード ,  フォノン ,  倍音 ,  共鳴Raman散乱 ,  電子-フォノン相互作用 ,  半導体薄膜 ,  *コアシェル構造
準シソーラス用語： 多光子過程

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  コロイド化学一般  (CB11010C) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B)

タイトルに関連する用語 (6件)： ZnS ,  ZnO ,  コア ,  シェル ,  量子ドット ,  共鳴Raman散乱