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J-GLOBAL ID：201202253221254514   整理番号：12A1066492

Cs₃U₁₈Se₃₈の合成,構造及び電気抵抗

Synthesis, structure, and electrical resistivity of Cs₃U₁₈Se₃₈

著者 (2件)： OH George N. (Dep. of Chemistry, Northwestern Univ., 2145 Sheridan Road, Evanston, IL 60208-3113, USA) ,  IBERS James A. (Dep. of Chemistry, Northwestern Univ., 2145 Sheridan Road, Evanston, IL 60208-3113, USA)
資料名： Journal of Solid State Chemistry  (Journal of Solid State Chemistry)
巻： 192  ページ： 81-86  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： H0505A  ISSN： 0022-4596  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cs₃U₁₈Se₃₈を,U,Se,CsCl又はCs₂Se₃と,P又はAsの固相反応により,1273Kで合成した。この化合物は,正方晶系空間群D¹⁸_4h-I4/mcmに新構造で結晶化する。非対称単位は,4つの異なる配位環境のU原子を含む。全体的な3次元ネットワーク構造は,Cs原子が存在するc軸に沿うチャンネルを含む。式Cs₃U₁₈Se₃₈は,元素の典型的形式的酸化状態とのバランスを求めない。単結晶で実行した電気抵抗測定は,225Kの幅広い特徴,57K以下の非定型の半導体挙動及び0.0030(1)eVの計算されたバンドギャップを明らかにした。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *セシウム化合物 ,  *ウラン化合物 ,  *セレン化物 ,  *電気抵抗 ,  ウラン ,  セレン ,  塩化セシウム ,  ヒ素 ,  固相反応 ,  正方晶系 ,  空間群 ,  半導体 ,  バンドギャップ

分類 (2件)： その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (1件)： 電気抵抗