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J-GLOBAL ID：201202253352286152   整理番号：12A0900407

鋼基板上へのCu₂O薄膜の電着とその電気触媒活性

Electrodeposition and electrocatalytic activity of Cu₂O film on stainless steel substrate

著者 (7件)： BAO Mi (School of Chemistry and Chemical Engineering, Guangxi Univ., Nanning 530004, CHN) ,  WANG Dan (School of Chemistry and Chemical Engineering, Guangxi Univ., Nanning 530004, CHN) ,  LIU Shengyan (School of Chemistry and Chemical Engineering, Guangxi Univ., Nanning 530004, CHN) ,  KUANG Lili (School of Chemistry and Chemical Engineering, Guangxi Univ., Nanning 530004, CHN) ,  SUN Jian (School of Chemistry and Chemical Engineering, Guangxi Univ., Nanning 530004, CHN) ,  WANG Fan (School of Chemistry and Chemical Engineering, Guangxi Univ., Nanning 530004, CHN) ,  WEN Yanxuan (School of Chemistry and Chemical Engineering, Guangxi Univ., Nanning 530004, CHN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 258  号： 20  ページ： 8008-8014  発行年： 2012年08月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電着プロセスでの結晶成長において電解質,特にアニオン,の化学的性質は重要な役割を果たしており,その上,結晶の際立った成長挙動の原因でもある。この研究では,異なる配向方位とモルフォロジーのCu₂O薄膜を簡単な電着アプローチを介して鋼上に何らのテンプレートや表面活性剤を用いずに作製した。X線回折と走査電顕によって堆積時間と共にCu₂O配向方位の明確な変化が明らかになった。異なるCu(II)プリカーサーを用いてチューニングされたCu₂O薄膜のモフォロジー変化を考察した。配向方位は微結晶モフォロジーを決定し,Cu₂O被膜の電着の全体にわたっての直接制御を可能にする。加えて,得られたCu₂O薄膜の水中の有機汚染物劣化における電気触媒活性も研究した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 薄膜成長 ,  鋼 ,  基板 ,  *電着 ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  *触媒活性 ,  *酸化第一銅 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *電極触媒 ,  サイクリックボルタンメトリー

分類 (2件)： 無電解めっき  (WC08024S) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 鋼 ,  Cu2O ,  薄膜 ,  電着 ,  触媒活性