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J-GLOBAL ID：201202253438125836   整理番号：12A0549575

その場イオン照射による二セレン化インジウム銅のアモルファス化の透過電子顕微鏡観察

Transmission electron microscopy of the amorphization of copper indium diselenide by in situ ion irradiation

著者 (2件)： HINKS J. A. (Univ. of Huddersfield, Queensgate, Huddersfield HD1 3DH, GBR) ,  EDMONDSON P. D. (Dep. of Materials, Univ. of Oxford, Parks Road, Oxford OX1 3PH, GBR)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 5  ページ： 053510-053510-7  発行年： 2012年03月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二セレン化インジウム銅(CIS)はその誘導体Cu(In,Ga)(Se,S)₂とともに光起電素子の吸収体層に使用する有力な候補である。照射損傷耐性により,特に大気圏外および他の照射環境での使用に都合が良い。しかし,その照射耐力の性質は良く理解されていない。この報告では,CISの照射損傷の動的微細構造効果をモニターするのにその場イオン照射を伴う透過電子顕微鏡(TEM)を使用した。CISのTEM試料厚内に数多くの原子変位を生成し,なにがしかアモルファス化されうる条件を探求するために試料を400keVキセノンイオンで衝撃した。その場倍率拡大可能なTEMで衝撃の照射損傷を観察して,作用の原子的過程とCISの照射耐力を誘起する基本的機構の理解が得られた。200Kおよびそれ以下で,Cu不足試料がアモルファス化され,Cu富化試料はされない事を見出した。この差は異なった組成で示される結晶学的状態と結びつけられる。アモルファス化は一つ二つ一致した過程の結合状態で見出される。CISの照射耐力を結晶学的構造/欠陥の観点から検討した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 光起電素子 ,  光吸収 ,  吸収体 ,  *セレン化インジウム銅 ,  照射損傷 ,  *微細構造 ,  *アモルファス化 ,  *イオン照射 ,  キセノン ,  イオン衝突 ,  顕微鏡観察 ,  透過型電子顕微鏡 ,  耐放射線性 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： イオン衝撃

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオン照射 ,  セレン化インジウム銅 ,  アモルファス化 ,  透過電子顕微鏡 ,  観察