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J-GLOBAL ID：201202253452515744   整理番号：12A1668573

GaNエピタキシャル層の反射率スペクトルの干渉パターンはキャリア密度の重要な情報を与え得るか

Can interference patterns in the reflectance spectra of GaN epilayers give important information of carrier concentration?

著者 (7件)： ZHENG C. C. (Dep. of Physics and HKU-CAS Joint Lab. on New Materials, The Univ. of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong, CHN) ,  XU S. J. (Dep. of Physics and HKU-CAS Joint Lab. on New Materials, The Univ. of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong, CHN) ,  ZHANG F. (Dep. of Physics and HKU-CAS Joint Lab. on New Materials, The Univ. of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong, CHN) ,  NING J. Q. (Dep. of Physics and HKU-CAS Joint Lab. on New Materials, The Univ. of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong, CHN) ,  ZHAO D. G. (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN) ,  YANG H. (Suzhou Inst. of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Acad. of Sciences, Suzhou 215123, CHN) ,  CHE C. M. (Dep. of Chemistry, Inst. of Molecular Functional Materials, HKU-CAS Joint Lab. on New Materials, The Univ. of Hong ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 19  ページ： 191102-191102-3  発行年： 2012年11月05日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア基板上に有機金属化学気相成長法(MOCVD)により成長させたドーピング濃度の異なるSiドープGaNエピタキシャル層の低温反射率スペクトルを測定した。バンド端における励起子ポラリトン共鳴構造に加え,バンドギャップの十分下のエネルギー領域で干渉振動パターンを観測した。これらの振動パターンの振幅は試料のドーピング濃度に明確に依存した。薄膜の光干渉原理から,不純物散乱と干渉振動の振幅を繋ぐ手法を確立した。実験と理論は良く一致した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  MOCVD ,  エピタクシー ,  *キャリア密度 ,  *反射スペクトル ,  ポラリトン ,  半導体薄膜 ,  不純物 ,  半導体材料 ,  化合物半導体 ,  干渉縞
準シソーラス用語： 干渉パターン ,  励起子ポラリトン

分類 (1件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  エピタキシャル層 ,  反射率スペクトル ,  干渉パターン ,  キャリア密度