ZHENG C. C. について
Dep. of Physics and HKU-CAS Joint Lab. on New Materials, The Univ. of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong, CHN について
XU S. J. について
Dep. of Physics and HKU-CAS Joint Lab. on New Materials, The Univ. of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong, CHN について
ZHANG F. について
Dep. of Physics and HKU-CAS Joint Lab. on New Materials, The Univ. of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong, CHN について
NING J. Q. について
Dep. of Physics and HKU-CAS Joint Lab. on New Materials, The Univ. of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong, CHN について
ZHAO D. G. について
State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN について
YANG H. について
Suzhou Inst. of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Acad. of Sciences, Suzhou 215123, CHN について
CHE C. M. について
Dep. of Chemistry, Inst. of Molecular Functional Materials, HKU-CAS Joint Lab. on New Materials, The Univ. of Hong ... について
Applied Physics Letters について
窒化ガリウム について
MOCVD について
エピタクシー について
キャリア密度 について
反射スペクトル について
ポラリトン について
半導体薄膜 について
不純物 について
半導体材料 について
化合物半導体 について
干渉縞 について
干渉パターン について
励起子ポラリトン について
半導体と絶縁体の電気伝導一般 について
GaN について
エピタキシャル層 について
反射率スペクトル について
干渉パターン について
キャリア密度 について