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J-GLOBAL ID：201202253551796402   整理番号：12A0739036

イオン注入とパルスレーザアニーリングを介したSiCの低温,サイト選択的黒鉛化

Low-temperature, site selective graphitization of SiC via ion implantation and pulsed laser annealing

著者 (10件)： LEMAITRE Maxime G. (Dep. of Materials Sci. & Engineering, Univ. of Florida, Gainesville, Florida 32601, USA) ,  TONGAY Sefaattin (Dep. of Materials Sci. & Engineering, Univ. of Florida, Gainesville, Florida 32601, USA) ,  WANG Xiaotie (Dep. of Chemical Engineering, Univ. of Florida, Gainesville, Florida 32601, USA) ,  VENKATACHALAM Dinesh K. (Dep. of Electronic Materials Engineering, Australian National Univ., Canberra, ACT 0200, AUS) ,  FRIDMANN Joel (Nanoscience Inst. for Medical and Engineering Technol., Univ. of Florida, Gainesville, Florida 32601, USA) ,  GILA Brent P. (Dep. of Materials Sci. & Engineering, Univ. of Florida, Gainesville, Florida 32601, USA) ,  HEBARD Arthur F. (Dep. of Physics, Univ. of Florida, Gainesville, Florida 32601, USA) ,  REN Fan (Dep. of Materials Sci. & Engineering, Univ. of Florida, Gainesville, Florida 32601, USA) ,  ELLIMAN Robert G. (Dep. of Electronic Materials Engineering, Australian National Univ., Canberra, ACT 0200, AUS) ,  APPLETON Bill R. (Dep. of Materials Sci. & Engineering, Univ. of Florida, Gainesville, Florida 32601, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 19  ページ： 193105-193105-4  発行年： 2012年05月07日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオン注入とパルスレーザアニーリング(PLA)により,SiCの領域を選択的に黒鉛化する方法を紹介する。多重イオンビームリソグラフィーにより大きい面積にわたってナノスケールの特徴をパターン化し,続いて空気中のPLAを介して数層のグラフェンへ変換した。黒鉛化は,イオンが注入され,周りの基板の温度が上昇しないときのみ起きた。試料はRaman分光法,イオン散乱/チャネリング,SEM,及びAFMを使って特性評価し,それから黒鉛化度が注入する種,損傷と線量,レーザフルエンス,及びパルス化と共に変化すると決定した。PLA中,対照的な成長領域と黒鉛化機構を論じた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： イオン注入 ,  *レーザアニーリング ,  パルスレーザ ,  *炭化ケイ素 ,  *黒鉛化 ,  リソグラフィー ,  パターン形成 ,  炭素材 ,  Raman分光法 ,  イオンチャネリング ,  走査電子顕微鏡 ,  原子間力顕微鏡 ,  グラファイト ,  グラフェン
準シソーラス用語： イオンビームリソグラフィー ,  *数層グラフェン

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (6件)： イオン注入 ,  パルス ,  レーザアニーリング ,  SiC ,  低温 ,  黒鉛化