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J-GLOBAL ID：201202253834538728   整理番号：12A0956086

Cu₂ZnSnS₄膜の調製と光電子物性

Preparation and Optoelectronic Properties of Cu₂ZnSnS₄ Film

著者 (4件)： JIANG Feng (Nanjing Univ. Aeronautics and Astronautics, Nanjing, CHN) ,  SHEN Honglie (Nanjing Univ. Aeronautics and Astronautics, Nanjing, CHN) ,  JIN Jiale (Nanjing Univ. Aeronautics and Astronautics, Nanjing, CHN) ,  WANG Wei (Nanjing Univ. Aeronautics and Astronautics, Nanjing, CHN)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 159  号： 6  ページ： H565-H569  発行年： 2012年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本報では,種々の電場下で光-電流応答をテストし,Cu₂ZnSnS₄(CZTS)のキャリアトラップと関連する光励起電流を初めて研究し,残留光伝導(PPC)効果と,電流の光励起/減衰過程を示した。RFマグネトロンスパッタリングで調製したZn/Sn/Cu金属前駆体の硫化により効果的に調製したCZTS膜では,Ramanピークが251,288,335,368cm^-1で認められ,光吸収係数は10⁴cm^-1より大きく,エネルギーバンドギャップは約1.5eVと推定された。種々の電場下,CZTS膜の光-電流応答を調べPPC効果を認め,電流減衰時間を研究した。電場の1から1×10^-4Vまでの減少と共に,電流減衰時間は各218から0.264sまで減少した。

シソーラス用語： 残留光伝導 ,  *硫化物 ,  *銅化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *スズ化合物 ,  マグネトロンスパッタリング ,  RFスパッタリング ,  前駆体 ,  硫化 ,  *光電流 ,  *応答特性 ,  キャリア捕獲 ,  減衰 ,  吸収係数 ,  Ramanスペクトル ,  エネルギー ,  減衰時間
準シソーラス用語： キャリヤトラップ ,  光吸収係数 ,  バンドギャップエネルギー

分類 (3件)： 塩  (CD01050V) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (3件)： Cu2ZnSnS4 ,  調製 ,  光電子物性