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J-GLOBAL ID：201202254002591501   整理番号：12A1245943

プロファイルを調整可能なタングステンチップのエッチング方法

Method of electrochemical etching of tungsten tips with controllable profiles

著者 (6件)： CHANG Wei-tse (Inst. of Physics, Academia Sinica, Nankang, Taipei 11529, Taiwan) ,  HWANG Ing-shouh (Inst. of Physics, Academia Sinica, Nankang, Taipei 11529, Taiwan) ,  CHANG Mu-tung (Inst. of Physics, Academia Sinica, Nankang, Taipei 11529, Taiwan) ,  LIN Chung-yueh (Inst. of Physics, Academia Sinica, Nankang, Taipei 11529, Taiwan) ,  HSU Wei-hao (Inst. of Physics, Academia Sinica, Nankang, Taipei 11529, Taiwan) ,  HOU Jin-long (Inst. of Physics, Academia Sinica, Nankang, Taipei 11529, Taiwan)
資料名： Review of Scientific Instruments  (Review of Scientific Instruments)
巻： 83  号： 8  ページ： 083704-083704-6  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： D0517A  ISSN： 0034-6748  CODEN： RSINAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 良好な制御の下でタングステンチップを作る新しい簡単なプロセスについて報告する。このプロセスで,著者らは市販のファンクションジェネレータを電子的カットオフや複雑な機械的セットアップ無しで使用する。チップ長を160 μmから10 mmまで,アスペクト比1.6-100に対応して変えられる。チップ頂部の曲率半径を<10 nmの寸法に制御できる。表面粗さおよびテーパ角を独立に制御できる。エッチングパラメータを制御して,チップ長,曲率半径,表面粗さ,およびテーパ角を制御し,各種用途の異なる要求に合わせることができる。また,可能性のあるエッチングメカニズムについて論じる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 輪郭 ,  *電極チップ ,  タングステン ,  *エッチング ,  電気化学 ,  装置 ,  関数発生 ,  長さ ,  アスペクト比 ,  半径 ,  曲率 ,  表面粗さ ,  形態 ,  勾配 ,  角度
準シソーラス用語： テーパ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： プロファイル ,  タングステン ,  エッチング