文献

J-GLOBAL ID：201202254300364615   整理番号：12A0363602

32nmの相補的金属酸化物半導体素子技術と以降のための高k金属ゲートトランジスタのV_T制御のためのSiGeチャンネル

SiGe channels for V_T control of high-k metal gate transistors for 32nm complementary metal oxide semiconductor technology and beyond

著者 (7件)： REICHEL Carsten ,  SCHOENEKESS Joerg ,  KRONHOLZ Stephan ,  BEERNINK Gunda ,  ZEUN Annekathrin ,  DIETEL Andreas ,  KAMMLER Thorsten
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 520  号： 8  ページ： 3170-3174  発行年： 2012年02月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： P-電界効果トランジスターの,V_T制御のためのSiGeチャンネルのGLOBALFOUNDRIES 高k 32nm 金属ゲート技術が,生成に入った。このエピタキシャル・チャンネル材は,相補的金属酸化物半導体素子技術で高体積製造に導入された。幅の狭いトランジスタのためのSiGeチャンネル(cSiGe)の形態は,例えばエピタキシャル成長温度,プレベーク条件,または,エピタキシャル堆積の前のその場Si陥凹のようなプロセス条件によって慎重に制御される。28nmの技術で観察したミクロ負荷効果は,エピタキシャル堆積の前のシリコンその場陥凹によって除去された。このプロセス・ステップの重要な費用のために,エピタキシャル・バッチ・システムは,劇的に所有コストを減らすと評価された。また,cSiGe厚みへのV_Tの強い応答により,cSiGeプロセスをSiGeチャンネルの厚み変化を最小にするよう最適化した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MOSFET ,  *ゲート【半導体】 ,  エピタクシー ,  *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  幅 ,  制御 ,  負荷 ,  *固溶体 ,  半導体薄膜 ,  *誘電体 ,  チャネル
準シソーラス用語： *高k誘電体

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 金属酸化物 ,  半導体素子 ,  金属ゲート ,  トランジスタ ,  VT ,  SiGe ,  チャンネル