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J-GLOBAL ID：201202254390142110   整理番号：12A1121436

分極疲れの原因としての時間依存分域壁ピン止めのナノスケール観測

Nanoscale Observation of Time-Dependent Domain Wall Pinning as the Origin of Polarization Fatigue

著者 (4件)： YANG Sang Mo (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Tae Heon (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  YOON Jong-Gul (Univ. Suwon, Gyunggi-do, KOR) ,  NOH Tae Won (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 22  号： 11  ページ： 2310-2317  発行年： 2012年06月06日 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1955年の報告以来多数の研究があるにもかかわらず微視的機構に異論のある強誘電材料の分極疲れについて,改良圧電応答力顕微鏡法(PFM)を用いて,時間依存分域ピン止めがエピタキシャルPZT膜の分極疲れの主要原因であることを報告した。SrTiO₃(001)基板表面に高品質Au/PbZr_0.4Ti_0.6O₃(PZT)/SrRuO₃キャパシタをパルスレーザ蒸着で調製し,X線回折でPZT膜(200nm厚)は完全c軸配向エピタキシャル成長していることを確認した。市販品を基に開発した実験装置を用いて過渡スイッチング電流測定,分極-電場(P-E)ヒステリシス測定,さらにPFM撮像を行い,データ解析した。分域核生成及び成長動力学の直接ナノスケール観測は強誘電材料の疲れでの分域壁ピン止めプロセスの進展の重要性を明らかにするものであることなどが分かった。

シソーラス用語： *疲れ ,  *誘電分極 ,  *強誘電体 ,  *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  誘電体薄膜 ,  エピタクシー ,  基板 ,  優先配向 ,  X線回折分析 ,  *コンデンサ ,  *力顕微鏡 ,  *圧電気 ,  撮像 ,  電流 ,  過渡現象 ,  依存性 ,  *分域構造 ,  *ピン止め
準シソーラス用語： *キャパシタ ,  スイッチング電流 ,  *圧電応答力顕微鏡法 ,  *分極疲れ ,  分極-電場ヒステリシス ,  *誘電分域壁

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 分極 ,  原因 ,  時間依存 ,  分域壁 ,  ピン止め ,  ナノスケール ,  観測