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J-GLOBAL ID：201202254861548316   整理番号：12A1237535

αパワー式を用いたトランジスタ変化のモデリングと差動増幅器における高調波歪みに関する感度解析へのその応用

Modeling transistor variation using α-power formula and its application to sensitivity analysis on harmonic distortion in differential amplifier

著者 (4件)： HASEGAWA Ken (Tokyo Univ. of Sci., Suwa, Electronic Systems Engineering, Chino, 391-0292, Nagano, JPN) ,  AOKI Masakazu (Tokyo Univ. of Sci., Suwa, Electronic Systems Engineering, Chino, 391-0292, Nagano, JPN) ,  YAMAWAKI Taizo (Hitachi Ltd, Central Res. Lab., Kokubunji, 185-8601, Tokyo, JPN) ,  TANAKA Satoshi (Hitachi Ltd, Central Res. Lab., Kokubunji, 185-8601, Tokyo, JPN)
資料名： Analog Integrated Circuits and Signal Processing  (Analog Integrated Circuits and Signal Processing)
巻： 72  号： 3  ページ： 605-613  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： W0439A  ISSN： 0925-1030  CODEN： AICPEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 筆者らは,手計算を用いてトランジスタ変化を取り扱うのを容易にするために,トランジスタのI_D-V_GS曲線に対するαパワー式を用いた統計的MOSFETモデルを提案した。SPICEを用いた感度シミュレーションとともに統計的αパワーモデルを用いて,差動増幅器における高調波歪み(HD)に及ぼすトランジスタ変化(不整合)の影響を評価した。ドライバトランジスタ変化が,差動利得における2次HDに主に影響し,不整合がしきい値電圧変化により,または電流因子変化により誘起されようとされなかろうと,それはトランジスタの電流不整合に近似的に比例することが分かった。さらに正確な値を得るために,実験的I_D-V_GS曲線を直接用いることにより,HDをさらに評価した。筆者らが差動電流式を,相互コンダクタンス(g_m),その微分(g^’_m)およびそれらの変化(Δg_mとΔg^’_m)の関数として用いる時に,実験データから得られた結果とより一致するようにするために,g_m-V_GS曲線に適合したαパワーモデルは,HDをより正確に記述した。Copyright 2011 Springer Science+Business Media, LLC Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *差動増幅器 ,  *高調波歪 ,  *感度解析 ,  *モデリング ,  *半導体プロセス ,  変動 ,  半導体チップ ,  *超LSI ,  MOSFET ,  トランジスタモデル ,  電流電圧特性 ,  SPICEプログラム ,  シミュレーション ,  プロセス変動 ,  *歪
準シソーラス用語： SOC【IC】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (7件)： パワー ,  トランジスタ ,  モデリング ,  差動増幅器 ,  高調波歪み ,  感度解析 ,  応用