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J-GLOBAL ID:201202255042191260   整理番号:12A1028274

酸化亜鉛ナノロッドベースのフォトニック素子 成長,発光ダイオードおよびレーザにおける最近の進歩

Zinc oxide nanorod based photonic devices: recent progress in growth, light emitting diodes and lasers
著者 (22件):
資料名:
巻: 20  号: 33  ページ: 332001 (40 PP.)  発行年: 2009年 
JST資料番号: W0108A  ISSN: 0957-4484  CODEN: NNOTER  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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酸化亜鉛(ZnO)は,その優れた発光特性とそのナノ構造の成長の容易さとによって,フォトニック素子の開発に対する有望さを保持している。ZnOナノロッドの成長における最近の進歩を論じた。低温および高温成長の両アプローチからの結果を提示した。ここで提示した技法は,有機金属化学蒸着(MOCVD),気相エピタクシー(VPE),パルスレーザ蒸着(PLD),蒸気-液体-固体成長(VLS),水溶液化学成長(ACG),および,最後に,選択成長アプローチの例としての電着技法を含む。種々のZnOナノロッド構造特性および光学的性質からの結果を示し,室温および低温での性能の両方に対して,種々の技術(高分解能透過型電子顕微鏡法(HRTEM),走査電子顕微鏡法(SEM),光ルミネセンス(PL)および陰極線ルミネセンス(CL)を含む)を用いて解析した。その結果は,成長したZnOナノロッドが,再現性のある,興味深い光学的性質を有することを示した。ZnOマイクロロッドおよびナノロッドにおけるp型ドーピングに関する結果も,PLDを用いて実証した。3通りの独立な効果を,p型伝導性,リンドープZnOナノロッドについて見出した。つまり,第一に,アクセプタ関連CLピーク,第二に,無添加およびリンドープワイヤチャネルを用いたバックゲート電界効果トランジスタに関する逆移動特性,最後に,ZnO:Pナノワイヤ/ZnO:Ga PN接合に関する整流性電流電圧特性,を見出した。次に,異なる技法(ハイブリッド技法)と組合わせた,n-ZnOナノロッドに基づいた発光ダイオード(LED)を示唆し,これらLEDの電気的,ならびに電気光学特性を示して論じた。ここで概説し論じたハイブリッドLEDは,主に,下記の2群,つまり,n-ZnOナノロッドおよびp型結晶基板に基づいたLED,ならびに,n-ZnOナノロッドおよびn型非晶質基板に基づいたLEDについて提示した。白色LEDの開発を目的とした有望なエレクトロルミネセンス特性を記した。提示したLEDの一部は10V超の印加バイアスに対して可視発光を示したが,最適化構造は,遥かに低い電圧で同一発光を示すと予測した。最後に,ZnOナノロッドからのレーザ発振を概説した。ZnOからの囁きの回廊モード(WGM)レーザ発振の最近の例を,小型構造からの誘導放射の増強の一方法として記した。(翻訳著者抄録)
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分類 (3件):
分類
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酸化物薄膜  ,  発光素子  ,  半導体レーザ 
タイトルに関連する用語 (5件):
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