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J-GLOBAL ID：201202255686904488   整理番号：12A0617827

アモルファスシリコン薄膜中の固有応力の構造起源

Structural origins of intrinsic stress in amorphous silicon thin films

著者 (9件)： JOHLIN Eric (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA) ,  TABET Nouar (King Fahd Univ. Petroleum and Minerals, Dhahran, SAU) ,  CASTRO-GALNARES Sebastian (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA) ,  ABDALLAH Amir (King Fahd Univ. Petroleum and Minerals, Dhahran, SAU) ,  BERTONI Manana I. (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA) ,  ASAFA Tesleem (King Fahd Univ. Petroleum and Minerals, Dhahran, SAU) ,  GROSSMAN Jeffrey C. (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA) ,  SAID Syed (King Fahd Univ. Petroleum and Minerals, Dhahran, SAU) ,  BUONASSISI Tonio (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 85  号： 7  ページ： 075202.1-075202.7  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *アモルファスシリコン ,  *半導体薄膜 ,  *応力 ,  構造 ,  水素化物 ,  長範囲規則度 ,  光学定数 ,  多孔性 ,  水素 ,  含有量 ,  原子構造 ,  微細構造 ,  光起電素子 ,  電気特性 ,  光学的性質 ,  機械的性質 ,  圧力 ,  周波数 ,  イオン衝突 ,  運動量 ,  圧縮応力 ,  引張応力 ,  水素結合 ,  仕事率
準シソーラス用語： パワー ,  起源 ,  光電変換素子

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C)

タイトルに関連する用語 (3件)： アモルファス ,  シリコン薄膜 ,  起源