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J-GLOBAL ID：201202256225618765   整理番号：12A1657441

ビスマスアクセプタドープBaTiO₃系ナノ結晶薄膜コンデンサの包括的誘電性能

Comprehensive dielectric performance of bismuth acceptor doped BaTiO₃ based nanocrystal thin film capacitors

著者 (12件)： LIU Shuangyi (City coll. New York, NY, USA) ,  LIU Shuangyi (City Univ. New York, NY, USA) ,  ZHANG Henan (City coll. New York, NY, USA) ,  SVIRIDOV Lev (City Univ. New York, NY, USA) ,  HUANG Limin (City coll. New York, NY, USA) ,  HUANG Limin (City Univ. New York, NY, USA) ,  LIU Xiaohua (City coll. New York, NY, USA) ,  SAMSON Jacopo (Hunter Coll., NY, USA) ,  AKINS Dan (City coll. New York, NY, USA) ,  LI Jackie (City coll. New York, NY, USA) ,  O’BRIEN Stephen (City coll. New York, NY, USA) ,  O’BRIEN Stephen (City Univ. New York, NY, USA)
資料名： Journal of Materials Chemistry  (Journal of Materials Chemistry)
巻： 22  号： 41  ページ： 21862-21870  発行年： 2012年11月07日 
JST資料番号： W0204A  ISSN： 0959-9428  CODEN： JMACEP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 望ましいコンデンサ特性を示す薄膜ナノ複合誘電体をつくるために,ポリマと共に析出できるビスマスアクセプタドープチタン酸バリウムナノ結晶を調製した。チタンサイトの置換は低温ソルボサーマル法により,完全に結晶性の(Ba(Ti_xBi_1-x)O₃ナノ結晶が生成した。このキャラクタリゼーションを行い,誘電性能を調べた。広い周波数範囲にわたり(~10MHz),静電容量(誘電率)の改良,低い誘電損失及び著しい等価直列抵抗の改良が認められた。

シソーラス用語： *ビスマス化合物 ,  *アクセプタ ,  *ドーピング ,  *チタン酸バリウム ,  *ナノ結晶 ,  *薄膜コンデンサ ,  *誘電性 ,  複合誘電体 ,  置換反応 ,  化学合成 ,  結晶構造 ,  静電容量 ,  誘電率 ,  誘電損失 ,  電気抵抗 ,  X線回折 ,  透過型電子顕微鏡 ,  走査電子顕微鏡 ,  Ramanスペクトル
準シソーラス用語： ソルボサーマル合成 ,  等価直列抵抗

分類 (4件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  物理化学一般その他  (CB01030T) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (3件)： BaTiO3 ,  ナノ結晶薄膜 ,  コンデンサ