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J-GLOBAL ID：201202256624839597   整理番号：12A1174838

パルスレーザ蒸着とセレン化反応を用いることによる単一相CuInAlSe₂薄膜の作成

Growth of Single-phase CuInAlSe₂ Thin Films by Using Pulsed Laser Deposition and Selenization

著者 (2件)： KIM Kyoo Ho (Yeungnam Univ., Gyeongsan, KOR) ,  FIANTI (Yeungnam Univ., Gyeongsan, KOR)
資料名： Journal of the Korean Physical Society  (Journal of the Korean Physical Society)
巻： 60  号： 12  ページ： 2001-2006  発行年： 2012年06月29日 
JST資料番号： T0357A  ISSN： 0374-4884  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 韓国 (KOR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *レーザ蒸着 ,  化学反応 ,  *セレン化物 ,  *銅化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *アルミニウム化合物 ,  半導体薄膜 ,  化合物半導体 ,  黄銅鉱型結晶 ,  *パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： セレン化反応

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (4件)： パルスレーザ蒸着 ,  セレン化反応 ,  単一相 ,  薄膜