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J-GLOBAL ID:201202256764675357   整理番号:12A1584292

ギガワット生産時代におけるCuInSe2系薄膜光起電力技術

CuInSe2-Based Thin-Film Photovoltaic Technology in the Gigawatt Production Era
著者 (2件):
資料名:
巻: 51  号: 10,Issue 2  ページ: 10NC01.1-10NC01.5  発行年: 2012年10月25日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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本論文の目的は,CuInSe<sub>2</sub>(CIS)系薄膜光起電力(PV)技術の現状と今後の見通しをレビューすることである。CIS系薄膜光起電力技術において,トップグリッドを有する小面積(すなわち,1cm<sup>2</sup>以下)太陽電池における総面積太陽電池効率は20%を超えており,一方,大面積(すなわち,定義として800cm<sup>2</sup>以上)モノリシックモジュールにおける開口面積効率は18%のマイルストーンに近づいている。しかし,CIS系薄膜光起電力技術を有する企業のほとんどは,ソーラーフロンティア(株)を除いて,まだ生産研究段階に止まっている。2011年7月に,ソーラーフロンティアは0.9GW/年の生産能力を有する第三施設を稼働することにより,ギガワット(GW)のメンバーに加わった。R&Dで開発された技術を移転し,16%というモジュール効率のボーダーラインを超えための最も近い位置を維持しており,製品ライフサイクル管理の概念に基づいて将来のための準備を加速している。(翻訳著者抄録)
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分類 (3件):
分類
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太陽電池  ,  光伝導,光起電力  ,  半導体薄膜 
タイトルに関連する用語 (3件):
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