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J-GLOBAL ID：201202256868446716   整理番号：12A1503904

発光ダイオードに関するピエゾフォトトロニクスの理論

Theory of Piezo-Phototronics for Light-Emitting Diodes

著者 (2件)： ZHANG Yan (Georgia Inst. Technol., Georgia, USA) ,  WANG Zhong Lin (Georgia Inst. Technol., Georgia, USA)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 24  号： 34  ページ： 4712-4718  発行年： 2012年09月04日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 内部結晶圧電電位をゲート電位としてp-n接合近傍におけるキャリア発生,キャリア輸送,キャリア再結合の制御を行うピエゾフォトトロニクス発光ダイオードについて理論検討した。光子放出およびキャリア移動におよぼす圧電電位の影響を数値計算により示した。

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  結晶 ,  効果 ,  ゲート【半導体】 ,  PN接合 ,  キャリア生成 ,  輸送現象 ,  キャリア再結合 ,  放射 ,  キャリア移動度 ,  数値計算 ,  半導体
準シソーラス用語： キャリア発生 ,  キャリア輸送 ,  *ピエゾフォトトロニクス ,  圧電効果 ,  光子放出

分類 (4件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  発光素子  (NC03082G) ,  物理化学一般その他  (CB01030T) ,  分子・遺伝情報処理  (JE15040B)

タイトルに関連する用語 (2件)： 発光ダイオード ,  理論