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J-GLOBAL ID：201202256936784692   整理番号：12A0430591

アモルファス高k LaGdO₃膜の光学的性質及びそのSiとのバンドアラインメント

Optical properties of amorphous high-k LaGdO₃ films and its band alignment with Si

著者 (5件)： PAVUNNY S. P. (Dep. of Physics and Inst. for Functional Nanomaterials, P.O. Box 70377, Univ. of Puerto Rico, San Juan, Puero Rico ...) ,  THOMAS R. (Dep. of Physics and Inst. for Functional Nanomaterials, P.O. Box 70377, Univ. of Puerto Rico, San Juan, Puero Rico ...) ,  KUMAR A. (Dep. of Physics and Inst. for Functional Nanomaterials, P.O. Box 70377, Univ. of Puerto Rico, San Juan, Puero Rico ...) ,  FACHINI E. (Fac. of General Studies, Univ. of Puerto Rico, San Juan, Puerto Rico 00931, USA) ,  KATIYAR R. S. (Dep. of Physics and Inst. for Functional Nanomaterials, P.O. Box 70377, Univ. of Puerto Rico, San Juan, Puero Rico ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 4  ページ： 044106  発行年： 2012年02月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水晶(0001)基板上のパルスレーザアブレート・アモルファス高k LaGdO₃(LGO)薄膜の光学的性質,及びSiとの伝導帯/価電子帯オフセットを研究した。複素屈折率及びバンドギャップを透過スペクトルから抽出した。膜厚の減少とともにバンドギャップの増大が観測された。ネットワーク中に凍結された構造乱れの程度をUrbachモデルを用いて見積もり,そしてアモルファス性が膜厚の減少とともに増大することを見出した。屈折率の波長分散の解析により,バンド間遷移に対して単一実効振動子モデルを確かめた。計算されたシリコンとLGOの伝導帯及び価電子帯バンドオフセットはそれぞれ2.57±0.15及び1.91±0.15 eVであり,Si基板からのLGOの電子または正孔の伝導帯及び価電子帯への注入を抑制するのに十分高く,従って,SiベースCMOS技術のための新しい高誘電率材料として使用できるであろう。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ランタン化合物 ,  *酸化物 ,  誘電材料 ,  *バンドオフセット ,  伝導バンド ,  価電子バンド ,  バンドギャップ ,  *複素屈折率 ,  分散【dispersion】 ,  *誘電体薄膜 ,  レーザアブレーション ,  Urbach則 ,  非晶質 ,  *ガドリニウム化合物
準シソーラス用語： *ガドリニウム酸ランタン ,  価電子帯 ,  高k材料 ,  伝導帯 ,  波長分散

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  誘電体一般  (BM05010F) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (4件)： アモルファス ,  光学的性質 ,  Si ,  バンドアラインメント