文献

J-GLOBAL ID：201202256948737525   整理番号：12A0780064

種々のパッケージタイプに対しMOSFETのジャンクション温度とスイッチング損失を決定する

Determine MOSFET Junction Temperature And Switching Losses For Various Package Types

著者 (1件)： ASINOVSKI Alexander (MURATA POWER SOLUTIONS INC., MASS.)
資料名： Electronic Design  (Electronic Design)
巻： 60  号： 5  ページ： 66-68  発行年： 2012年04月05日 
JST資料番号： C0397A  ISSN： 0013-4872  CODEN： ELODA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電力変換器の温度ディレーティング曲線を得るため,電力用MOSFETのジャンクション温度は主要な判定基準の一つである。本稿では,既知の熱抵抗とリードおよびケース(パッケージ)温度測定に基づき,MOSFETのジャンク温度およびスイッチング損失をより正確に決定する方法について述べる。改善した熱モデルの解析により得られたパッケージのホットスポット温度はジャンクション温度より2-3°C低く,この結果は,熱抵抗からジャンクション温度を計算できることを示している。

シソーラス用語： *MOSFET ,  温度 ,  *スイッチング損失 ,  モデリング ,  *ICパッケージ ,  ホットスポット ,  熱抵抗
準シソーラス用語： *接合温度 ,  熱モデル

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： パッケージ ,  タイプ ,  MOSFET ,  ジャンクション ,  スイッチング損失