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J-GLOBAL ID：201202256983484427   整理番号：12A0903949

p-AlInGaN/GaN超格子によるGaN系垂直発光ダイオードの光出力パワーの改善

Improved Light Output Power in GaN-based Vertical Light-emitting Diodes with p-AlInGaN/GaN Superlattices

著者 (3件)： KIM Su Jin (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  SON Sung Hun (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Tae Geun (Korea Univ., Seoul, KOR)
資料名： Journal of the Korean Physical Society  (Journal of the Korean Physical Society)
巻： 60  号： 8  ページ： 1258-1262  発行年： 2012年04月30日 
JST資料番号： T0357A  ISSN： 0374-4884  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 韓国 (KOR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  *発光ダイオード ,  *放射強度 ,  *超格子 ,  半導体材料 ,  化合物半導体 ,  電流電圧特性 ,  キャリア密度 ,  電流密度 ,  層
準シソーラス用語： 電子遮断層

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  超格子 ,  発光ダイオード ,  光出力 ,  パワー