炭素過剰SiC(0001)-(√3×√3)表面構造のLEED電流電圧特性解析による研究

文献

J-GLOBAL ID：201202256999110705 整理番号：12A1294138

Structure of carbon-rich SiC(0001)-(√3×√3) surface investigated by LEED I-V analysis

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資料名：
巻： 67 号： 2 第4分冊ページ： 840 発行年： 2012年08月24日
JST資料番号： S0671B ISSN： 1342-8349 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

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固体の表面構造一般 , 半導体薄膜

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炭素過剰SiC(0001)-(√<span style=text-decoration:overline>3</span>×√<span style=text-decoration:overline>3</span>)表面構造のLEED電流電圧特性解析による研究