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J-GLOBAL ID：201202257009992462   整理番号：12A1174566

CMOS集積ポリSiGe圧電抵抗圧力センサ

CMOS-Integrated Poly-SiGe Piezoresistive Pressure Sensor

著者 (9件)： GONZALEZ P. (IMEC, Leuven, BEL) ,  GONZALEZ P. (KU Leuven, Leuven, BEL) ,  RAKOWSKI M. (IMEC, Leuven, BEL) ,  RAKOWSKI M. (KU Leuven, Leuven, BEL) ,  SAN SEGUNDO D. (IMEC, Leuven, BEL) ,  SEVERI S. (IMEC, Leuven, BEL) ,  DE MEYER K. (IMEC, Leuven, BEL) ,  DE MEYER K. (KU Leuven, Leuven, BEL) ,  WITVROUW A. (IMEC, Leuven, BEL)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 8  ページ： 1204-1206  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多結晶SiGeは,多結晶Siと比べて低い温度で必要な機械的強度を与え,CMOSデバイス上にMEMSを集積可能である。本稿では,0.13μm Cu配線CMOSデバイスを使った増幅器上に多結晶SiGe圧電抵抗圧力センサを直接集積した。CMOSデバイス上に集積するため低プロセス温度(≦455°C)であるにもかかわらず,この多結晶SiGe圧電抵抗センサだけで2.5mV/V/バーの感度を示した。さらにCMOSデバイス上に集積後には感度159.5mV/V/バーを示した。このMEMS集積プロセス後にCu充填配線間とタングステン充填バイアホールの抵抗は増加したが,CMOS回路の大きな劣化は無かった。

シソーラス用語： 多結晶 ,  CMOS構造 ,  半導体集積回路 ,  半導体材料 ,  圧電素子 ,  圧抵抗効果 ,  圧力センサ ,  *MEMS ,  増幅器 ,  バイアホール
準シソーラス用語： *CMOS回路 ,  SiGe ,  *圧電抵抗素子

分類 (2件)： 力,仕事量,圧力,摩擦の計測法・機器  (AD05050V) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： CMOS ,  集積 ,  SiGe ,  圧電抵抗 ,  圧力センサ