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J-GLOBAL ID：201202257054779583   整理番号：12A0807856

CVD組み立てグラフェンFETを導入した六方晶窒化ホウ素上のロジックインバータ

Logic Inverter Implemented with CVD-Assembled Graphene FET on Hexagonal Boron Nitride

著者 (5件)： KIM Edwin (Ramtron International Corp., CO, USA) ,  KIM Edwin (State Univ. New York, New York, USA) ,  JAIN Nikhil (State Univ. New York, New York, USA) ,  XU Yang (Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN) ,  YU Bin (State Univ. New York, New York, USA)
資料名： IEEE Transactions on Nanotechnology  (IEEE Transactions on Nanotechnology)
巻： 11  号： 3  ページ： 619-623  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： W1355A  ISSN： 1536-125X  CODEN： ITNECU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンの優れたキャリア輸送特性を保つには支持基板材料が重要な働きをする。六方晶窒化ホウ素(h-BN)はグラフェンとの格子不整合が1.7%と小さく,カーボンエレクトロニクスの理想的材料である。グラフェン電界効果トランジスタ(GFET)によるロジックインバータをh-BN上に作り,小信号相互コンダクタンスg_m,実効キャリア移動度μ_effをSiO₂の上に製作したインバータと比較した。測定の結果,g_mとμ_eff共にh-BN基板の方がはるかに改善されていた。

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  *FET【トランジスタ】 ,  炭素材 ,  *窒化ホウ素 ,  六方晶系 ,  材料 ,  インバータ ,  化学蒸着 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： CVD【化学蒸着】 ,  基板材料 ,  電界効果トランジスタ

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  論理回路  (NC05070B)

タイトルに関連する用語 (6件)： CVD ,  組み立て ,  グラフェンFET ,  六方晶窒化ホウ素 ,  ロジック ,  インバータ