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J-GLOBAL ID：201202257136748350   整理番号：12A1731630

高温壁MOCVD選択範囲で成長する六角錐GaNの形態制御

Morphology Control of Hot-Wall MOCVD Selective Area Grown Hexagonal GaN Pyramids

著者 (4件)： LUNDSKOG Anders (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  FORSBERG Urban (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  HOLTZ Per Olof (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  JANZEN Erik (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 12  号： 11  ページ： 5491-5496  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高温壁金属有機化学蒸着(MOCVD)によって成長したガリウム極性(0001)配向の六角錐GaNにおける{1101},{1102}および{1100}面の変化を研究した。その結果,成長温度やNH₃およびトリメチルガリウム(TMGa)の流速のような過程パラメータを調節すると,この六角錐の形を制御できることがわかった。多様な各三角錐の(hkil)面におけるミラー指数の成長速度はR_hkilとして表される。小さなR_hkilの面は目に見えるほど成長した。成長が動的に限定されたレジメになるとR₁₁₀₀が自動的に著しく減少した。この情報に基づいて,異なる3D構造の処理パラメータロードマップを作成した。短い成長時間(t_short<t_trans:t_transは質量輸送と動的限定成長レジメ間の遷移時間)では,範囲I(高い成長温度と低いNH₃流速)において頂点付近に{1102}面をもつ三角錐が成長した。{1102}面では成長時間が長くなるt_long>t_transとR₁₁₀₂>0であるがR₁₁₀₁=0になるので成長が終了した。範囲II(高い成長温度と高いNH₃流速)では,R₀₀₀₁>>R₁₁₀₁=0になるので短い成長時間と長い成長時間ではそれぞれ(0001)角錐台と針状突起が形成された。範囲IIIとIV(低い成長温度と低/高NH₃流速)では成長時間が長くなると動的限定レジメになって,縦{1100}面が表れた。また一方,範囲IIIでは{1102}面が表れるが,VIでは表れなかった。{1102}面を示す錐体は特に頂点付近で不規則になりやすい。範囲IIが最も均一な錐体になりやすく,範囲IIIやIVでは成長時間が長くなっても(0001)面の切り取りが消失しないことは注目に値する。

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  *MOCVD ,  アンモニア ,  *流速 ,  速度依存性 ,  温度依存性 ,  *結晶形態 ,  結晶方位 ,  角錐 ,  六角形 ,  ファセット ,  成長速度

分類 (2件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (1件)： トリメチルガリウム

タイトルに関連する用語 (5件)： MOCVD ,  成長 ,  角錐 ,  GaN ,  形態制御