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J-GLOBAL ID：201202257302030594   整理番号：12A1712069

自立したGaN基板におけるバンド端近傍発光に関する空間-時間分解カソードルミネセンスによって決定された局所的寿命と発光効率

Local lifetime and luminescence efficiency for the near-band-edge emission of freestanding GaN substrates determined using spatio-time-resolved cathodoluminescence

著者 (8件)： ISHIKAWA Y. (Optoelectronics Lab., Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba ...) ,  TASHIRO M. (Optoelectronics Lab., Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba ...) ,  HAZU K. (Optoelectronics Lab., Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba ...) ,  FURUSAWA K. (Optoelectronics Lab., Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba ...) ,  NAMITA H. (Gallium Nitride Dep., Mitsubishi Chemicals Co., 1000, Higashi-mamiana, Ushiku, Ibaraki 300-1295, JPN) ,  NAGAO S. (Gallium Nitride Dep., Mitsubishi Chemicals Co., 1000, Higashi-mamiana, Ushiku, Ibaraki 300-1295, JPN) ,  FUJITO K. (Gallium Nitride Dep., Mitsubishi Chemicals Co., 1000, Higashi-mamiana, Ushiku, Ibaraki 300-1295, JPN) ,  CHICHIBU S. F. (Optoelectronics Lab., Inst. of Multidisciplinary Res. for Advanced Materials, Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 21  ページ： 212106-212106-4  発行年： 2012年11月19日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ハイドライド気相成長法で成長させた貫通転位密度の低い自立したGaN基板について,空間-時間分解カソードルミネッセンス測定を行った。高分解能のカソードルミネセンスイメージングによって,偶然形成された反転ドメイン境界近傍における非輻射再結合チャネルの可視化が可能になった。バンド端(NBE)発光に関する局所的カソードルミネッセンス寿命(τ_CL)は,位置に敏感に依存することが分かった。室温において,弱励起条件下で測定したNBE発光に関する等価内部量子効率(η_int^eq)とτ_CLの間には直線関係が観測され,空間分解励起の下では20%という最高のη_int^eqが得られ,またτ_CLは3.3nsであることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *陰極線ルミネセンス ,  *画像処理 ,  貫通転位 ,  転位密度 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  基板 ,  *可視化 ,  チャネル ,  *寿命 ,  *エネルギー変換効率 ,  *エピタクシー ,  半導体薄膜 ,  量子効率
準シソーラス用語： イメージング ,  非輻射再結合チャネル ,  発光効率 ,  *水素化物気相エピタクシー ,  等価内部量子効率

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (8件)： 自立 ,  GaN ,  バンド端 ,  近傍 ,  分解 ,  カソードルミネセンス ,  寿命 ,  発光効率