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J-GLOBAL ID：201202257316270288   整理番号：12A1037258

自己整合2ステップアンダーカットエッチングした導波路を使用した低パワー駆動で低光損失の40Gb/s電界吸収変調器

Low-Power-Driven and Low-Optical-Loss 40-Gb/s Electroabsorption Modulator Using Self-Aligned Two-Step Undercut-Etched Waveguide

著者 (3件)： WU Tsu-Hsiu (National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  WU Jui-Pin (National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  CHIU Yi-Jen (National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 7  ページ： 1021-1023  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： インターネットのデータレートの急激な増加により,高速,高効率の低コスト光データ変調器の開発が急がれている。本稿では,新しい自己整合2ステップアンダーカットエッチングした導波路(SATSUEW)を使った,高効率低パワー40Gb/s電界吸収変調器について報告した。350μm長半導体電界吸収変調器(EAM)導波路で,光ファイバ挿入損-6.5dB(伝送損失1dB/100μm),35dB消光比と25dB/V dc変調効率を得た。長い,広いリッジと狭いアンダーカット能動領域により,導波路の広帯域応答も実現可能で,13dB消光比に対して1V_PPの低パワーで40Gb/sの動作を達成した。この長いSATSUEWは高ビットレートで高効率動作に適用することが可能で,高速オプトエレクトロニクスで使われる材料や構造の必要な仕様を緩和することが期待される。

シソーラス用語： 自己整合 ,  アンダカット ,  *光導波路 ,  光変調素子 ,  伝送損失 ,  消光比 ,  オプトエレクトロニクス ,  伝送速度 ,  データ通信 ,  インターネット ,  光ファイバ ,  *挿入損 ,  損失
準シソーラス用語： ビットレート ,  光損失 ,  *電界吸収変調器

分類 (1件)： 光通信方式・機器  (ND10000B)

タイトルに関連する用語 (5件)： 自己整合 ,  導波路 ,  パワー ,  光損失 ,  電界吸収変調器