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J-GLOBAL ID：201202257351091035   整理番号：12A0809859

水素化物気相エピタキシーによって作製したAlN自立厚膜の構造的,光学的特性

Structural and optical properties of thick freestanding AlN films prepared by hydride vapor phase epitaxy

著者 (5件)： FREITAS J.a. (Naval Res. Lab., Washington DC 20375, USA) ,  CULBERTSON J.c. (Naval Res. Lab., Washington DC 20375, USA) ,  MASTRO M.a. (Naval Res. Lab., Washington DC 20375, USA) ,  KUMAGAI Y. (Dep. of Applied Chemistry, Tokyo Univ. of Agriculture and Technol., Koganei, Tokyo 184-8588, JPN) ,  KOUKITU A. (Dep. of Applied Chemistry, Tokyo Univ. of Agriculture and Technol., Koganei, Tokyo 184-8588, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 350  号： 1  ページ： 33-37  発行年： 2012年07月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非破壊式顕微鏡と分光学的方法を組み合わせて,ボイド形成式HVPE-AlN自立膜の構造的,光学的特性を調査した。約80μmの厚い明瞭な自立膜はウルツ鉱型結晶構造であり,膜中央の領域の周囲で優れた特性を有していた。(高い)E₂フォノン周波数は,報告されている応力のない膜のフォノン周波数と一致した。膜の成長と界面の両面からの低温光ルミネセンス研究は,高濃度の酸素不純物の混入と一致した。これらの結果は,エピタキシャル成長に向けて,応力のない大面積自立基板の作製に適している成長法として有望であることを示した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *エピタクシー ,  窒化アルミニウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *厚膜 ,  *ウルツ鉱型結晶 ,  *光ルミネセンス ,  不純物 ,  基板
準シソーラス用語： HVPE【薄膜成長】 ,  *水素化物気相エピタクシー

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 水素化物気相エピタキシー ,  作製 ,  AlN ,  自立 ,  厚膜 ,  光学的特性