V<sub>2</sub>O<sub>3</sub>ナノ結晶のCrドーピングによって保たれる金属-絶縁体転移

ISHIWATA Yoichi; SHIRAISHI Tatsuya; ITO Naoki; SUEHIRO Satoshi; KIDA Tetsuya; ISHII Hirofumi; TEZUKA Yasuhisa; INAGAKI Yuji; KAWAE Tatsuya; OOSATO Hirotaka; WATANABE Eiichiro; TSUYA Daiju; NANTOH Masashi; ISHIBASHI Koji

文献

J-GLOBAL ID：201202257376463751 整理番号：12A0256958

V₂O₃ナノ結晶のCrドーピングによって保たれる金属-絶縁体転移

Metal-insulator transition sustained by Cr-doping in V₂O₃ nanocrystals

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=12A0256958&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=12A0256958&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

著者 (14件)：

ISHIWATA Yoichi

ISHIWATA Yoichi について

名寄せID(JGPN) 201550000230207065 ですべてを検索
「ISHIWATA Yoichi」ですべてを検索

(Dep. of Physics, Saga Univ., Saga 840-8502, JPN)

Dep. of Physics, Saga Univ., Saga 840-8502, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000097785232 ですべてを検索
「Dep. of Physics, Saga Univ., Saga 840-8502, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

SHIRAISHI Tatsuya

SHIRAISHI Tatsuya について

名寄せID(JGPN) 200901100627121574 ですべてを検索
「SHIRAISHI Tatsuya」ですべてを検索

(Dep. of Physics, Saga Univ., Saga 840-8502, JPN)

Dep. of Physics, Saga Univ., Saga 840-8502, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000097785232 ですべてを検索
「Dep. of Physics, Saga Univ., Saga 840-8502, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

ITO Naoki

ITO Naoki について

名寄せID(JGPN) 200901100618340590 ですべてを検索
「ITO Naoki」ですべてを検索

(Dep. of Physics, Saga Univ., Saga 840-8502, JPN)

Dep. of Physics, Saga Univ., Saga 840-8502, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000097785232 ですべてを検索
「Dep. of Physics, Saga Univ., Saga 840-8502, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

SUEHIRO Satoshi

SUEHIRO Satoshi について

名寄せID(JGPN) 201550000097959458 ですべてを検索
「SUEHIRO Satoshi」ですべてを検索

(Dep. of Physics, Saga Univ., Saga 840-8502, JPN)

Dep. of Physics, Saga Univ., Saga 840-8502, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000097785232 ですべてを検索
「Dep. of Physics, Saga Univ., Saga 840-8502, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

KIDA Tetsuya

KIDA Tetsuya について

名寄せID(JGPN) 200901100591004886 ですべてを検索
「KIDA Tetsuya」ですべてを検索

(Dep. of Energy and Material Sciences, Kyushu Univ., Fukuoka 816-8580, JPN)

Dep. of Energy and Material Sciences, Kyushu Univ., Fukuoka 816-8580, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000096163114 ですべてを検索
「Dep. of Energy and Material Sciences, Kyushu Univ., Fukuoka 816-8580, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

ISHII Hirofumi

ISHII Hirofumi について

名寄せID(JGPN) 201550000257443429 ですべてを検索
「ISHII Hirofumi」ですべてを検索

(National Synchrotron Radiation Res. Center, Hsinchu 30076, Taiwan)

National Synchrotron Radiation Res. Center, Hsinchu 30076, Taiwan について

名寄せID(JGON) 201551000059967343 ですべてを検索
「National Synchrotron Radiation Res. Center, Hsinchu 30076, Taiwan」ですべてを検索

TEZUKA Yasuhisa

TEZUKA Yasuhisa について

名寄せID(JGPN) 201850000422666324 ですべてを検索
「TEZUKA Yasuhisa」ですべてを検索

(Dep. of Advanced Physics, Hirosaki Univ., Hirosaki 036-8561, JPN)

Dep. of Advanced Physics, Hirosaki Univ., Hirosaki 036-8561, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000098045054 ですべてを検索
「Dep. of Advanced Physics, Hirosaki Univ., Hirosaki 036-8561, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

INAGAKI Yuji

INAGAKI Yuji について

名寄せID(JGPN) 200901100395887907 ですべてを検索
「INAGAKI Yuji」ですべてを検索

(Dep. of Applied Quantum Physics, Kyushu Univ., Fukuoka 819-0395, JPN)

Dep. of Applied Quantum Physics, Kyushu Univ., Fukuoka 819-0395, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000096163114 ですべてを検索
「Dep. of Applied Quantum Physics, Kyushu Univ., Fukuoka 819-0395, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

KAWAE Tatsuya

KAWAE Tatsuya について

名寄せID(JGPN) 200901100420983134 ですべてを検索
「KAWAE Tatsuya」ですべてを検索

(Dep. of Applied Quantum Physics, Kyushu Univ., Fukuoka 819-0395, JPN)

Dep. of Applied Quantum Physics, Kyushu Univ., Fukuoka 819-0395, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000096163114 ですべてを検索
「Dep. of Applied Quantum Physics, Kyushu Univ., Fukuoka 819-0395, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

OOSATO Hirotaka

OOSATO Hirotaka について

名寄せID(JGPN) 200901100632337119 ですべてを検索
「OOSATO Hirotaka」ですべてを検索

(Nanotechnology Innovation Center, NIMS, Tsukuba 305-0047, JPN)

Nanotechnology Innovation Center, NIMS, Tsukuba 305-0047, JPN について

名寄せID(JGON) 202451000199377383 ですべてを検索
「Nanotechnology Innovation Center, NIMS, Tsukuba 305-0047, JPN」ですべてを検索

WATANABE Eiichiro

WATANABE Eiichiro について

名寄せID(JGPN) 200901100300135164 ですべてを検索
「WATANABE Eiichiro」ですべてを検索

(Nanotechnology Innovation Center, NIMS, Tsukuba 305-0047, JPN)

Nanotechnology Innovation Center, NIMS, Tsukuba 305-0047, JPN について

名寄せID(JGON) 202451000199377383 ですべてを検索
「Nanotechnology Innovation Center, NIMS, Tsukuba 305-0047, JPN」ですべてを検索

TSUYA Daiju

TSUYA Daiju について

名寄せID(JGPN) 200901100600955503 ですべてを検索
「TSUYA Daiju」ですべてを検索

(Nanotechnology Innovation Center, NIMS, Tsukuba 305-0047, JPN)

Nanotechnology Innovation Center, NIMS, Tsukuba 305-0047, JPN について

名寄せID(JGON) 202451000199377383 ですべてを検索
「Nanotechnology Innovation Center, NIMS, Tsukuba 305-0047, JPN」ですべてを検索

NANTOH Masashi

NANTOH Masashi について

名寄せID(JGPN) 201301100015051553 ですべてを検索
「NANTOH Masashi」ですべてを検索

(Advanced Device Lab., The Inst. of Physical and Chemical Res. (RIKEN), Wako 351-0198, JPN)

Advanced Device Lab., The Inst. of Physical and Chemical Res. (RIKEN), Wako 351-0198, JPN について

名寄せID(JGON) 202251000176872978 ですべてを検索
「Advanced Device Lab., The Inst. of Physical and Chemical Res. (RIKEN), Wako 351-0198, JPN」ですべてを検索

ISHIBASHI Koji

ISHIBASHI Koji について

名寄せID(JGPN) 200901100523576464 ですべてを検索
「ISHIBASHI Koji」ですべてを検索

(Advanced Device Lab., The Inst. of Physical and Chemical Res. (RIKEN), Wako 351-0198, JPN)

Advanced Device Lab., The Inst. of Physical and Chemical Res. (RIKEN), Wako 351-0198, JPN について

名寄せID(JGON) 202251000176872978 ですべてを検索
「Advanced Device Lab., The Inst. of Physical and Chemical Res. (RIKEN), Wako 351-0198, JPN」ですべてを検索

資料名：

Applied Physics Letters (Applied Physics Letters)

Applied Physics Letters について

JST資料番号 H0613A ですべてを検索
ISSN,ISBN,CODENですべてを検索
資料情報を見る

巻： 100 号： 4 ページ： 043103 発行年： 2012年01月23日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

抄録/ポイント：

抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

有機相合成を使って,結晶サイズが21.0±4.1nmの単分散(V_1-xCr_x)₂O₃ナノ結晶を得た。金属-絶縁体転移の消失が観測されている非ドープV₂O₃ナノ結晶とは対照的に,V_1-xCr_x)₂O₃ナノ結晶はコランダム構造の常磁性金属から単斜晶構造の反強磁性絶縁体への転移を明瞭に見せた。Crドーピングはa_1gバンドを狭くするのに有効に作用し,これがナノ結晶化によって幅広くに対する傾向があることを見いだした。この結果から,化学ドーピングはナノスケールでの物質の相転移を制御する上で有用であると考えられる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語：

シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

*酸化バナジウム

酸化バナジウムについて

「酸化バナジウム」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

クロム

クロムについて

「クロム」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

*ドーピング

ドーピングについて

「ドーピング」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

*金属-絶縁体転移

金属-絶縁体転移について

「金属-絶縁体転移」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

結晶粒径

結晶粒径について

「結晶粒径」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

酸化物

酸化物について

「酸化物」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

バナジウム化合物

バナジウム化合物について

「バナジウム化合物」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

クロム化合物

クロム化合物について

「クロム化合物」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

磁気転移

磁気転移について

「磁気転移」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

コランダム型結晶

コランダム型結晶について

「コランダム型結晶」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

単斜晶系

単斜晶系について

「単斜晶系」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

結晶化

結晶化について

「結晶化」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

X線吸収スペクトル

X線吸収スペクトルについて

「X線吸収スペクトル」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

磁化率

磁化率について

「磁化率」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

ナノ結晶化

ナノ結晶化について

「ナノ結晶化」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

分類 (1件)：

分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです

金属-絶縁体転移

(BM02110T)

金属-絶縁体転移について

分類コード BM02110T で文献を検索
分類コード4桁 BM02 で文献を検索

タイトルに関連する用語 (4件)：

タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

ナノ結晶

ナノ結晶について

「ナノ結晶」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

Cr について

「Cr」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

ドーピング

ドーピングについて

「ドーピング」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

金属-絶縁体転移

金属-絶縁体転移について

「金属-絶縁体転移」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

前のページに戻る

V2O3ナノ結晶のCrドーピングによって保たれる金属-絶縁体転移

V₂O₃ナノ結晶のCrドーピングによって保たれる金属-絶縁体転移