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J-GLOBAL ID：201202257477794724   整理番号：12A0620577

ナノ構造金上にCo-Sb薄膜の電気化学的析出

Electrochemical deposition of Co-Sb thin films on nanostructured gold

著者 (4件)： VIDU Ruxandra (NanoRIS, Sacramento, CA, USA) ,  LI Simon (Univ. of California, Davis, Dep. of Chemical Engineering & Materials Sci., Davis, CA, USA) ,  QUACH Dat V. (Univ. of California, Davis, Dep. of Chemical Engineering & Materials Sci., Davis, CA, USA) ,  STROEVE Pieter (Univ. of California, Davis, Dep. of Chemical Engineering & Materials Sci., Davis, CA, USA)
資料名： Journal of Applied Electrochemistry  (Journal of Applied Electrochemistry)
巻： 42  号： 5  ページ： 333-339  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： B0393B  ISSN： 0021-891X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サイクリックボルタンメトリーおよび定電位沈着中のAu基板上のCo-Sb系電気化学挙動を研究した。CoおよびSb電気化学挙動を研究し,Co-Sb系と比較した。負ポテンシャル(-0.9V対Ag/AgCl)では,この二成分系の電気化学挙動が個個の結合したCoおよびSbのそれに似ていた。より否定的頂点ポテンシャル(例えば-1.2V対Ag/AgCl)については,サイクリックボルタンメトリーからの結果は,低速掃引速度で単に検知することができるCoおよびSbと異なる新しい化合物の存在を示した。-1.0~-1.2Vの間の一定ポテンシャルで実行された沈着は,CoSb3およびXRDによって示されるようなSbで作られたフィルムに帰着した。SEMおびEDSによって研究された表面フィルムは,水素発生によって引き起こされた形態論と構成の不統一を示した。Copyright 2012 Springer Science+Business Media B.V. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ナノ構造 ,  *金 ,  *金属薄膜 ,  *アンチモン合金 ,  *コバルト含有合金 ,  *電着 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  定電圧電源 ,  沈着 ,  基板 ,  電気化学的挙動 ,  ポテンシャル ,  銀 ,  塩化銀 ,  発生 ,  モルフォロジー
準シソーラス用語： *合金薄膜 ,  *電気化学的析出 ,  水素発生

分類 (2件)： 電気めっき  (WC08023B) ,  電極過程  (CB07040U)

タイトルに関連する用語 (3件)： ナノ構造 ,  薄膜 ,  電気化学的析出