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J-GLOBAL ID：201202257516755073   整理番号：12A0706134

有機薄膜により改質した金属電極を有する発光電界効果トランジスタ

Light-Emitting Field-Effect Transistors Having Metal Electrodes Modified with an Organic Thin Film

著者 (4件)： OKADA Akinori (Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN) ,  FUKAYA Yoshihide (Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN) ,  HOTTA Shu (Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN) ,  YAMAO Takeshi (Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 4,Issue 2  ページ： 04DK07.1-04DK07.5  発行年： 2012年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機発光電界効果トランジスタ(OLEFETs)の発光特性とキャリア移動度を,金属電極を薄膜n型チオフェン/フェニレン共オリゴマ(TPCO)によって改質することによって改良した。これらの半導体層はp型TPCO結晶であった。電子注入として改質電極を使用したとき,デバイスは改質していない電極を持つデバイスより8倍も高い発光強度を示した。それに反して,正孔注入として改質電極を採用したときには,正孔増強モードのもとで,0.11cm²・V^-1・s^-1の最大正孔移動度を達成できた。改質電極は実効的にp型結晶に電子と正孔の両方を注入するために機能した。この起源を主に議論する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 半導体素子 ,  *FET【トランジスタ】 ,  固体素子 ,  *電極 ,  特性 ,  キャリア移動度 ,  N型半導体 ,  オリゴマ ,  P型半導体 ,  放射強度 ,  *共重合体 ,  *発光ダイオード ,  有機半導体 ,  改質 ,  *化学修飾 ,  *サンドイッチ構造 ,  基板 ,  ケイ素 ,  ポリメタクリル酸メチル ,  高分子薄膜 ,  二酸化ケイ素 ,  硫黄複素環化合物
準シソーラス用語： PMMA ,  正孔移動度 ,  電界発光素子 ,  発光強度 ,  発光素子 ,  発光電界効果トランジスタ ,  発光特性 ,  有機薄膜

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

物質索引 (3件)： チオフェン ,  1,4-ビス(5-フェニルチオフェン-2-イル)ベンゼン ,  1,4-ビス[5-[4-(トリフルオロメチル)フェニル]チオフェン-2-イル]ベンゼン

引用文献 (24件)：

• 1) A. Hepp, H. Heil, W. Weise, M. Ahles, R. Schmechel, and H. von Seggern: Phys. Rev. Lett. 91 (2003) 157406.
• 2) F. Cicoira and C. Santato: Adv. Funct. Mater. 17 (2007) 3421.
• 3) M. A. Loi, C. Rost-Bietsch, M. Murgia, S. Karg, W. Riess, and M. Muccini: Adv. Funct. Mater. 16 (2006) 41.
• 4) C. Rost, S. Karg, W. Riess, M. A. Loi, M. Murgia, and M. Muccini: Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 1613.
• 5) F. Dinelli, R. Capelli, M. A. Loi, M. Murgia, M. Muccini, A. Facchetti, and T. J. Marks: Adv. Mater. 18 (2006) 1416.

タイトルに関連する用語 (4件)： 有機薄膜 ,  改質 ,  金属電極 ,  電界効果トランジスタ