文献

J-GLOBAL ID：201202257565086470   整理番号：12A1166999

In-Ge-Sb-Te系における相転移及び分離の特性

Characteristics of phase transition and separation in a In-Ge-Sb-Te system

著者 (5件)： PARK Sung Jin (Inst. of Physics and Applied Physics, Yonsei Univ., Seoul 120-749, KOR) ,  JANG Moon Hyung (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Pennsylvania, Philadelphia, PA 19104, USA) ,  PARK Seung-jong (Inst. of Physics and Applied Physics, Yonsei Univ., Seoul 120-749, KOR) ,  CHO Mann-ho (Inst. of Physics and Applied Physics, Yonsei Univ., Seoul 120-749, KOR) ,  KO Dae-hong (Dep. of Material Sci. and Engineering, Yonsei Univ., Seoul 120-749, KOR)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 258  号： 24  ページ： 9786-9791  発行年： 2012年10月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InドープGeSbTe膜を,Ge₂Sb₂Te₅及びIn₃Sb₁Te₂(IST)をターゲットとして用いて,イオンビームスパッタリングにより堆積した。閾値電圧は,ISTの増加レベルとともに上昇した。この現象はX線データ及び4点R_sデータにおける結晶化温度の上昇と一致した。In₂₈Ge₁₂Sb₂₆Te₃₄において,階段状変化をする多重閾値電圧値を観測した。X線データ及びRamanデータは,In₂Te₃への相分離が,350°Cでのアニーリング後,すべての試料で起こることを示した。高濃度のInを含む膜では,Sb相分離も観測した。観測された相は,相分離の起源が,Ge-Te,In-Te,Sb-Te,In-Sb及びIn-In結合における形成のエンタルピー変化及び差からであることを示した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *アンチモン化合物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  *テルル化物 ,  *不揮発性メモリ ,  *インジウム ,  *ドーピング ,  イオンビームスパッタリング ,  *相分離 ,  X線回折 ,  晶出温度 ,  Ramanスペクトル ,  焼なまし ,  エンタルピー ,  *カルコゲン化物ガラス ,  *結晶化 ,  化合物半導体 ,  非晶質半導体 ,  *PRAM【メモリ】
準シソーラス用語： *テルル化ゲルマニウムアンチモン ,  *相変化メモリ ,  閾値電圧

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固相転移  (BL04020G) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ge ,  Sb ,  Te ,  相転移