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J-GLOBAL ID：201202257571806248   整理番号：12A1500132

アルミニウムのインライン高速蒸着によるシリコン太陽電池への局所的後部接触

Local rear contacts to silicon solar cells by in-line high-rate evaporation of aluminum

著者 (5件)： MADER Christoph (Inst. for Solar Energy Res. Hamelin (ISFH), Am Ohrberg 1, 31860 Emmerthal, DEU) ,  MUELLER Jens (Inst. for Solar Energy Res. Hamelin (ISFH), Am Ohrberg 1, 31860 Emmerthal, DEU) ,  EIDELLOTH Stefan (Inst. for Solar Energy Res. Hamelin (ISFH), Am Ohrberg 1, 31860 Emmerthal, DEU) ,  BRENDEL Rolf (Inst. for Solar Energy Res. Hamelin (ISFH), Am Ohrberg 1, 31860 Emmerthal, DEU) ,  BRENDEL Rolf (Inst. for Solid State Physics, Leibniz Univ. of Hannover, Appelstrasse 2, 30167 Hannover, DEU)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 107  ページ： 272-282  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p型ウエハとホウ素拡散層を,不活性化酸化アルミニウムおよび窒化ケイ素スタックのレーザアブレーション,それに続くアルミニウムのインライン高速蒸着により接触させた。基底接触で0.5~3.8Ωcmの基底抵抗率に対して2.5×10⁶~1.9×10⁷fA/cm²,および23~86Ωcmのシート抵抗をもつホウ素拡散層への接触に対して,491~905fA/cm²の飽和電流密度を測定した。4×10¹⁵~3×10¹⁹cm^-3の表面ドーピング密度をもつp型シリコンへのAl層の接触抵抗は,それぞれ4~0.1Ωcm²の範囲にあった。測定した接触特性は,高効率の「不活性化エミッタおよび後部セル」(PERC)ならびに「不活性化エミッタおよび後部完全拡散セル」(PERT)の作製を可能にした。数値シミュレーションは,前面でのスクリーン印刷接触と組合せた蒸着後部接触が,それぞれPERCおよびPERTに対して20.6%および21.1%のエネルギー変換効率を可能にすることを示した。模擬した自由エネルギー損失は,そのようなセルが後部側のインライン蒸着点接触により制限されないことを示した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *太陽電池 ,  P型半導体 ,  ウエハ【IC】 ,  拡散層 ,  レーザアブレーション ,  *蒸着 ,  *アルミニウム ,  ホウ素 ,  シート抵抗 ,  電流 ,  電流密度 ,  インライン処理 ,  不活性化 ,  点接触 ,  接触抵抗 ,  シミュレーション ,  エネルギー変換効率
準シソーラス用語： *シリコン太陽電池 ,  数値シミュレーション ,  接触抵抗率 ,  飽和電流

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： アルミニウム ,  インライン ,  蒸着 ,  シリコン太陽電池 ,  後部