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J-GLOBAL ID：201202257614947940   整理番号：12A0620022

Ni(111)表面上での化学蒸着グラフェン成長の分子動力学シミュレーション

Molecular Dynamics Simulation of Chemical Vapor Deposition Graphene Growth on Ni (111) Surface

著者 (4件)： MENG Lijuan (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  SUN Qing (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  WANG Jinlan (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  DING Feng (Hong Kong Polytechnic Univ., Hong Kong, CHN)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 116  号： 10  ページ： 6097-6102  発行年： 2012年03月15日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 反応性力の場ポテンシャルエネルギー面に基づく分子動力学シミュレーションにより,Ni(111)表面上でのグラフェン成長速度に及ぼすC濃度と温度の影響を調べた。低いC濃度はC原子のNiへの溶解をもたらし,一部の表面Ni原子は表面から追い出された。その結果,基板表面は不規則となり,sp²グラフェン島の生成に不利になった。逆に,高いC濃度は大部分のC原子が三配位したグラフェン島の生成を誘起した。四つの温度(800,1000,1200,1400K)でのC構造の欠陥回復に関する研究は,1000KでのC構造の品質が最も高く,グラフェンの最適成長温度が1000K付近であることを示した。周囲のC原子添加により,グラフェン島の成長を調べた。蒸着したC原子の捕捉により,グラフェン島は次第に大きくなり,C添加で生じた欠陥は効率的に回復した。グラフェン成長の速度過程の深い理解は,CVD実験における高品質グラフェンの合成を導くだろう。

シソーラス用語： *炭素材 ,  化学蒸着 ,  *薄膜成長 ,  計算機シミュレーション ,  *ニッケル ,  温度依存性 ,  炭素 ,  アニーリング【現象】 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 分子動力学シミュレーション

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ni ,  化学蒸着 ,  グラフェン ,  成長 ,  分子動力学シミュレーション