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J-GLOBAL ID：201202257654530929   整理番号：12A0676538

電着法で合成したCu₂ZnSnSe₄薄膜太陽電池

The Cu₂ZnSnSe₄ thin films solar cells synthesized by electrodeposition route

著者 (6件)： LI Ji (CAS Key Lab. of Materials for Energy Conversion, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Sci. and Technol. ...) ,  MA Tuteng (CAS Key Lab. of Materials for Energy Conversion, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Sci. and Technol. ...) ,  WEI Ming (CAS Key Lab. of Materials for Energy Conversion, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Sci. and Technol. ...) ,  LIU Weifeng (CAS Key Lab. of Materials for Energy Conversion, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Sci. and Technol. ...) ,  JIANG Guoshun (CAS Key Lab. of Materials for Energy Conversion, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Sci. and Technol. ...) ,  ZHU Changfei (CAS Key Lab. of Materials for Energy Conversion, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Sci. and Technol. ...)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 258  号： 17  ページ： 6261-6265  発行年： 2012年06月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄膜太陽電池の吸収体層用のCu₂ZnSnSe₄薄膜を調製する電着法を実証した。Cu₂ZnSnSe₄薄膜はCu-Zn-Sn金属前駆体の共電着とそれに続くセレン元素雰囲気中のアニーリングで調製した。この膜の構造や組成および光学特性をX線回折(XRD)やRaman分光法,エネルギー分散分光法(EDS)およびUV-VIS吸収分光法で調べた。高品質のCu₂ZnSnSe₄薄膜が得られ,バンドギャップと吸収係数は1.0eVと10^-4cm^-1で,太陽電池の作製に極めて適している。ZnO:Al/i-ZnO/CdS/Cu₂ZnSnSe₄/Mo/ガラスの構造の太陽電池を作製し,1.7%の変換効率を達成した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *セレン化物 ,  *銅化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *スズ化合物 ,  *電着 ,  焼なまし ,  X線回折 ,  Ramanスペクトル ,  紫外可視吸収スペクトル ,  エネルギー変換効率 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  光学ギャップ ,  光学定数
準シソーラス用語： アニーリング ,  *薄膜太陽電池

分類 (3件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (2件)： 電着 ,  薄膜太陽電池