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J-GLOBAL ID：201202257700618305   整理番号：12A1317109

超薄膜層を含むSi/Co/Si系におけるイオンビーム誘起混合:すれすれ入射X線定在波法による評価

Ion-beam-induced mixing in a Si/Co/Si system involving ultrathin layers: A grazing-incidence X-ray standing-wave study

著者 (2件)： ROY Sumalay (Indian Assoc. for the Cultivation of Sci., Kolkata, IND) ,  DEV B. N. (Indian Assoc. for the Cultivation of Sci., Kolkata, IND)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 209  号： 8  ページ： 1511-1519  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超薄膜層を含むSi/Co/Si系におけるイオンビーム誘導混合をすれすれ入射X線定在波法によって評価した結果を報告する。Si(111)基板上に堆積したSi(5nm)/Co(10nm)から成る二層系におけるCoとSiの高エネルギーイオンビームによる誘導混合を研究した。イオンビームのフルエンスを,3×10¹⁴~1×10¹⁵イオン/cm²の間で変化させた。イオン照射によって誘導されるCo原子の移動量とCo層からの移動方向を,斜め入射の条件下におけるx線反射(XRR)とx線定在波(XSW)法を組み合わせて決定した。斜め入射のXSW法は非常に高感度の表面偏析検出法で,表面に向かうCoの移動を有効に検出できる。しかし,本研究で行ったイオンビーム誘起のCoの移動は内方向で,Si基板方向に向かうことが判明した。また,超高真空中で成長させた超薄膜層状の系は,(111)配向した面心立方晶であることが分かった。更に,堆積したままの薄膜においても,界面にはケイ化コバルトが形成されることが明らかになった。

シソーラス用語： *イオンビーム混合 ,  超薄膜 ,  *ケイ素 ,  半導体 ,  *コバルト ,  金属薄膜 ,  半導体薄膜 ,  磁性薄膜 ,  すれすれ入射 ,  X線回折 ,  結晶方位 ,  変位 ,  計測 ,  マイグレーション【化学物質】 ,  *ケイ化物 ,  *コバルト化合物 ,  蛍光 ,  角度依存性 ,  多層
準シソーラス用語： X線定在波法 ,  X線反射率法 ,  イオンビーム誘起 ,  *ケイ化コバルト ,  原子変位

分類 (1件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (8件)： 薄膜層 ,  Si ,  CO ,  イオンビーム ,  誘起 ,  すれすれ入射 ,  X線定在波法 ,  評価