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J-GLOBAL ID：201202257708512247   整理番号：12A0265986

アモルファスシリコン薄膜のニッケル誘起横方向結晶化に及ぼす圧縮応力の効果

Effect of compressive stress on nickel-induced lateral crystallization of amorphous silicon thin films

著者 (4件)： HUANG S.y. ,  LIN H.l. ,  CHAO C.g. ,  LIU T.f.
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 520  号： 7  ページ： 2984-2988  発行年： 2012年01月31日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,アモルファスシリコン(a-Si)薄膜について,金属誘起横方向結晶化(MILC)を可能にする方法を記した。a-Si薄膜で被覆したガラス基板を,研磨したNiシートと,3.7~265.8MPaの範囲の圧縮応力下,550°Cで1時間,接触させた。次に,このNiシートと応力とを除去し,試料を,550°Cで1~4時間アニールした。この実験の結果は,予備的な圧縮応力が増大するとMILCの程度が減少することを示した。一方,全試料が,アニーリングの間において,等しい横方向結晶化速度を示した。本研究は,適当な圧縮応力(約4MPa)の印加によって,多結晶シリコン(ポリシリコン)中の残留Ni含量の低減に対して,効果的な方法が得られることを示した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *アモルファスシリコン ,  *結晶化 ,  *半導体薄膜 ,  ニッケル ,  基板 ,  ガラス ,  圧縮応力 ,  圧力効果 ,  成長速度 ,  焼なまし ,  温度依存性 ,  顕微鏡観察 ,  原子間力顕微鏡 ,  光学顕微鏡 ,  走査電子顕微鏡 ,  Ramanスペクトル ,  二次イオン質量分析
準シソーラス用語： TOF-SIMS ,  横方向成長 ,  *金属誘起横方向結晶化 ,  結晶成長速度

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： アモルファス ,  シリコン薄膜 ,  ニッケル ,  誘起 ,  横方向 ,  結晶化 ,  圧縮応力