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J-GLOBAL ID：201202257722756639   整理番号：12A1368064

ステップを含まないGaN表面上の超薄InN単一量子井戸からのきわめてい狭紫色光ルミネセンス線

Extremely Narrow Violet Photoluminescence Line from Ultrathin InN Single Quantum Well on Step-Free GaN Surface

著者 (4件)： AKASAKA Tetsuya (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  GOTOH Hideki (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  KOBAYASHI Yasuyuki (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  YAMAMOTO Hideki (NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 24  号： 31  ページ： 4296-4300  発行年： 2012年08月16日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ガリウム単結晶(0001)基板表面にフォトリソグラフィーにより六角形の成長領域を規定し,トリメチルガリウム,トリメチルインジウム,アンモニアの化学蒸着により窒化ガリウム層(20nm)/窒化インジウム単分子層/窒化ガリウム保護層(100nm)を積層した。HAADF-STEM,原子間力顕微鏡,Augerスペクトルによりキャラクタリゼーションを行った。光ルミネセンススペクトルは窒化ガリウムの発光に加えて3.22および3.03eVに鋭い窒化インジウムの単一量子井戸発光(FWHM9meV)を示した。窒化インジウム層厚を10分子層まで増やすと発光エネルギーは1.0eVまで低下した。ヒ素を含まない三色LEDのモノリシック製造が可能であることを強調した。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  フォトリソグラフィー ,  アンモニア ,  化学蒸着 ,  *窒化インジウム ,  *単分子層 ,  積層構造 ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  原子間力顕微鏡 ,  Augerスペクトル ,  *光ルミネセンス ,  *発光スペクトル ,  *量子井戸 ,  *スペクトル線幅 ,  層厚 ,  スペクトルシフト ,  発光ダイオード ,  *量子閉込め
準シソーラス用語： HAADF-STEM ,  LED ,  ルミネセンススペクトル

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  固-気界面一般  (CB12041H)

物質索引 (2件)： トリメチルインジウム ,  トリメチルガリウム

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  InN ,  単一量子井戸 ,  紫色光 ,  ルミネセンス