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J-GLOBAL ID：201202257767459988   整理番号：12A1246044

薄膜表面プラズモンを経由するシリコンでの間接光吸収

Indirect optical absorption in silicon via thin-film surface plasmon

著者 (2件)： TROLLE Mads L. (Dep. of Physics and Nanotechnology, Aalborg Univ., Skjernvej 4A, DK-9220 Aalborg Ost, DNK) ,  PEDERSEN Thomas G. (Dep. of Physics and Nanotechnology, Aalborg Univ., Skjernvej 4A, DK-9220 Aalborg Ost, DNK)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 4  ページ： 043103-043103-5  発行年： 2012年08月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体中の光励起は励起場の空間変化を無視して双極子極限で良く調べられてる。これは多くの場合極めて良い近似である。しかし,ナノ光学およびプラズモニクスの領域に近づくと,空間的に強く閉じ込められた光の場が生じるが,それは表面プラズモンポラリトン(SPP)である。ここでは,光子エネルギーがSiの直接バンドギャップ以下でのSi中に埋込まれたAg薄膜に束縛されたSPPの光吸収を調べた。この領域では,Si中の全ての吸収過程は間接遷移の運動量の食い違いを補償する結晶運動量源の助けを必要とする。フォノン支援過程は当然の例ではあるが,光波数ベクトルもまた光の場の空間変化が十分にあれば必要な運動量を供給できる。電場とSiのバンド理論のモデル応答関数について周波数と波数ベクトル依存性も含めた簡単なモデルを適用し,Ag膜に対するSi媒質の相対的な吸収が,光波数ベクトルに助けられた間接遷移が原因となってかなり増加する可能性があることを見出した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ポラリトン ,  半導体 ,  閉込め ,  *バンドギャップ ,  *ケイ素 ,  *銀 ,  *光吸収 ,  電子遷移 ,  運動量 ,  波数ベクトル ,  応答関数 ,  埋込み【挿入】 ,  金属薄膜
準シソーラス用語： 間接遷移 ,  光学閉込め ,  *表面プラズモンポラリトン

分類 (2件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  固体プラズマ  (BM02160W)

タイトルに関連する用語 (5件)： 薄膜 ,  表面プラズモン ,  シリコン ,  間接 ,  光吸収