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J-GLOBAL ID：201202257797420954   整理番号：12A0152996

CVD法により軸上C面基板に成長した2インチ4H-SiCホモエピタキシャル層

2-inch 4H-SiC Homoepitaxial Layer Grown on On-axis C-face Substrate by CVD Method
著者 (6件)：
KOJIMA K.

KOJIMA K. について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN について

, 
OKUMURA H.

OKUMURA H. について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN について

, 
KURODA S.

KURODA S. について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN について

, 
ARAI K.

ARAI K. について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN について

, 
OHI A.

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(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN について

, 
AKINAGA H.

AKINAGA H. について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

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資料名：
Materials Science Forum  (Materials Science Forum)

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巻： 483/485  ページ： 93-96  発行年： 2005年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)
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CVD法

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成長

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インチ

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4H-SiC

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ホモ

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, 
エピタキシャル層

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