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J-GLOBAL ID：201202257873832345   整理番号：12A1032499

Pt/SrTiO_x/Ptセルにおける双極性と単極性の抵抗スイッチング現象の可逆変化

Reversible changes between bipolar and unipolar resistance-switching phenomena in a Pt/SrTiO _x /Pt cell

著者 (6件)： LEE Shin Buhm (ReCFI, Dep. of Physics and Astronomy, Seoul National Univ., Seoul 151-747, KOR) ,  CHANG Seo Hyoung (ReCFI, Dep. of Physics and Astronomy, Seoul National Univ., Seoul 151-747, KOR) ,  YOO Hyang Keun (ReCFI, Dep. of Physics and Astronomy, Seoul National Univ., Seoul 151-747, KOR) ,  YOON Moon Jee (ReCFI, Dep. of Physics and Astronomy, Seoul National Univ., Seoul 151-747, KOR) ,  YANG Sang Mo (ReCFI, Dep. of Physics and Astronomy, Seoul National Univ., Seoul 151-747, KOR) ,  KANG Bo Soo (Dep. of Applied Physics, Hanyang Univ., Ansan, Gyeonggi-do 426-791, KOR)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 12  号： 6  ページ： 1515-1517  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pt/SrTiO_x/Ptセルにおいて双極性抵抗スイッチング(BRS)と単極性抵抗スイッチング(URS)間に抵抗スイッチング(RS)が可逆的に起こることを見つけた。上部と底部の界面がOhmicでSchottky様式の整流特性をもつTi/SrTiO_x/Ptセルの非対称電極配置に対して,BRSは成形過程で底部Pt電極に正電圧が印加されたときにだけ起こることが分かった。Pt/SrTiO_x/PtセルのBRS設置過程で,酸素泡がPt電極の上部に発生する。BRSとURSの両者が起こる単一サンプルの実験結果から,O^2-イオンの動きとそれに続いて起こる界面抵抗の変化がURSに対してではなく,BRSに対して重要な役割を演じているように思われる。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *白金 ,  *チタン酸ストロンチウム ,  *スイッチング ,  *可逆変化 ,  *界面 ,  整流 ,  配置 ,  非対称性 ,  過程 ,  白金電極 ,  *酸素 ,  気泡 ,  抵抗 ,  極性 ,  *記憶素子 ,  RAM【メモリ】
準シソーラス用語： RRAM ,  *メモリセル ,  界面抵抗 ,  成形過程 ,  双極性 ,  単極性 ,  *抵抗スイッチング ,  電極配置

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (6件)： Pt ,  セル ,  単極性 ,  抵抗スイッチング ,  現象 ,  可逆変化