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J-GLOBAL ID：201202257936559857   整理番号：12A0344083

窒素ドープグラフェンにおける水素吸蔵のための水素の取込み/放出に対する特異なスイッチとしての電場

The electric field as a novel switch for uptake/release of hydrogen for storage in nitrogen doped graphene

著者 (5件)： AO Z. M. (Univ. New South Wales, NSW, AUS) ,  HERNANDEZ-NIEVES A. D. (Centro Atomico Bariloche, Rio Negro, ARG) ,  HERNANDEZ-NIEVES A. D. (Universiteit Antwerpen, Groenenborgerlaan, BEL) ,  PEETERS F. M. (Universiteit Antwerpen, Groenenborgerlaan, BEL) ,  LI S. (Univ. New South Wales, NSW, AUS)
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 14  号： 4  ページ： 1463-1467  発行年： 2012年01月28日 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒素ドープグラフェンは,電場下の水素解離吸着のための触媒として注目されている。本報では,垂直電場の存在/不存在下における窒素ドープグラフェン上の水素原子の拡散を,密度汎関数法を用いて研究した。計算は,一般化勾配近似を交換相関関数として,また二重数値分極を基底関数系として用い,DMol3コード(J.Chem.Phys.Vol.113,p.7756-(2000))による局所軌道密度汎関数法を用いて密度汎関数半内殻擬ポテンシャルの計算を行った。印加電場は,表面上の解離吸着と拡散により窒素ドープグラフェン上への水素分子の結合を著しく促進することが分った。水素濃度が0.5wt%以上のとき,印加電場の除去により吸着した水素原子は効率的に放出された。理論的計算からは,印加電場は窒素ドープグラフェンは水素の取込み/放出に対するスイッチとして作用し,6.73wt%以上の水素吸蔵能を持ち水素吸蔵物質として有望であることを述べた。

シソーラス用語： *窒素 ,  *ドーピング ,  *炭素材 ,  *水素吸蔵 ,  *取込 ,  *放出 ,  *電場 ,  水素 ,  解離吸着 ,  触媒 ,  拡散 ,  相関関数 ,  基底関数系 ,  *局所密度汎関数法 ,  擬ポテンシャル法 ,  *グラフェン

分類 (3件)： 固-気界面一般  (CB12041H) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  物理化学一般その他  (CB01030T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 窒素ドープ ,  グラフェン ,  水素吸蔵 ,  水素 ,  取込み ,  放出 ,  電場