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J-GLOBAL ID：201202257952990894   整理番号：12A0521066

ポリタイプ閃亜鉛鉱型/ウルツ鉱型GaAsナノワイヤの価電子バンドの偏極依存光ルミネセンスによる探査

Valence band structure of polytypic zinc-blende/wurtzite GaAs nanowires probed by polarization-dependent photoluminescence

著者 (6件)： SPIRKOSKA D. (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  EFROS Al. L. (Naval Res. Lab., Washington D.C., USA) ,  LAMBRECHT W. R. L. (Case Western Reserve Univ., Ohio, USA) ,  CHEIWCHANCHAMNANGIJ T. (Case Western Reserve Univ., Ohio, USA) ,  FONTCUBERTA I MORRAL A. (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  ABSTREITER G. (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 85  号： 4  ページ： 045309.1-045309.11  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *価電子バンド ,  *光ルミネセンス ,  化合物半導体 ,  *ヒ化ガリウム ,  *ナノワイヤ ,  閃亜鉛鉱型結晶 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  ポリタイプ ,  励起子 ,  界面 ,  ナノ構造
準シソーラス用語： III-VI族半導体 ,  ナノ界面

分類 (3件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (9件)： タイプ ,  閃亜鉛鉱 ,  ウルツ鉱 ,  GaAs ,  ナノワイヤ ,  価電子バンド ,  偏極 ,  光ルミネセンス ,  探査